华东师范大学学报（自然科学版）
華東師範大學學報（自然科學版）
화동사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2014年
5期
72-81
,共10页
非易失存储%存储类内存%存储结构%文件系统%I/O接口
非易失存儲%存儲類內存%存儲結構%文件繫統%I/O接口
비역실존저%존저류내존%존저결구%문건계통%I/O접구
non-volatile memory%SCM%memory architecture%file system,I/O interface
当今各类计算机应用都进入一个飞速发展的阶段,无论是“计算密集型”还是“存储密集型”应用都对存储系统的容量、性能以及功耗不断提出更高的要求.然而,由于传统内存工艺(DRAM)的发展落后于计算逻辑工艺(CMOS),基于DRAM的内存设计逐渐无法满足这些设计需求.同时,基于HDD的外存性能与DRAM主存间的差距也逐渐增加.而各种非易失存储工艺取得长足的进步,为解决这一问题提供了新的机遇.本文就近年来针对非易失内存的结构和系统级设计与优化的研究工作进行综述,揭示非易失内存对存储系统的性能、功耗等都有明显的改善.
噹今各類計算機應用都進入一箇飛速髮展的階段,無論是“計算密集型”還是“存儲密集型”應用都對存儲繫統的容量、性能以及功耗不斷提齣更高的要求.然而,由于傳統內存工藝(DRAM)的髮展落後于計算邏輯工藝(CMOS),基于DRAM的內存設計逐漸無法滿足這些設計需求.同時,基于HDD的外存性能與DRAM主存間的差距也逐漸增加.而各種非易失存儲工藝取得長足的進步,為解決這一問題提供瞭新的機遇.本文就近年來針對非易失內存的結構和繫統級設計與優化的研究工作進行綜述,揭示非易失內存對存儲繫統的性能、功耗等都有明顯的改善.
당금각류계산궤응용도진입일개비속발전적계단,무론시“계산밀집형”환시“존저밀집형”응용도대존저계통적용량、성능이급공모불단제출경고적요구.연이,유우전통내존공예(DRAM)적발전락후우계산라집공예(CMOS),기우DRAM적내존설계축점무법만족저사설계수구.동시,기우HDD적외존성능여DRAM주존간적차거야축점증가.이각충비역실존저공예취득장족적진보,위해결저일문제제공료신적궤우.본문취근년래침대비역실내존적결구화계통급설계여우화적연구공작진행종술,게시비역실내존대존저계통적성능、공모등도유명현적개선.
