传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2014年
10期
8-10
,共3页
喻兰芳%梁庭%熊继军%崔海波%刘雨涛%张瑞
喻蘭芳%樑庭%熊繼軍%崔海波%劉雨濤%張瑞
유란방%량정%웅계군%최해파%류우도%장서
SiC%ICP深刻蚀%刻蚀气体%源功率RF1%射频功率RF2%腔室压强
SiC%ICP深刻蝕%刻蝕氣體%源功率RF1%射頻功率RF2%腔室壓彊
SiC%ICP심각식%각식기체%원공솔RF1%사빈공솔RF2%강실압강
SiC%ICP deep etching%etching gas%source power RF1%radio frequency power RF2%chamber pressure
SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀.采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的影响,并对产生的结果进行了相关分析.提出了一种SiC ICP深刻蚀方法,对SiC深刻蚀技术具有重要的指导意义.
SiC是一種新型的半導體材料,由于化學性質十分穩定,目前還未髮現有哪種痠或堿能在室溫下對其起腐蝕作用,因此,在SiC的加工工藝中常採用榦法刻蝕.採用GSE 200plus刻蝕機對SiC進行刻蝕,研究瞭刻蝕氣體、源功率RF1、射頻功率RF2及腔室壓彊對刻蝕結果的影響,併對產生的結果進行瞭相關分析.提齣瞭一種SiC ICP深刻蝕方法,對SiC深刻蝕技術具有重要的指導意義.
SiC시일충신형적반도체재료,유우화학성질십분은정,목전환미발현유나충산혹감능재실온하대기기부식작용,인차,재SiC적가공공예중상채용간법각식.채용GSE 200plus각식궤대SiC진행각식,연구료각식기체、원공솔RF1、사빈공솔RF2급강실압강대각식결과적영향,병대산생적결과진행료상관분석.제출료일충SiC ICP심각식방법,대SiC심각식기술구유중요적지도의의.
