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2014年
17期
238
,共1页
300mm直拉单晶硅%生长缺陷%热处理
300mm直拉單晶硅%生長缺陷%熱處理
300mm직랍단정규%생장결함%열처리
本文针对微电子工业的基础材料——单晶硅进行了其生长缺陷方面的研究,基于300mm掺氮直拉单晶硅的生长、原生氧沉淀等方面的热处理进行了详细分析,同时对极低电阻率的情况下分析了掺氮重掺砷和重掺磷直拉硅单晶的生长和氧沉淀等方面进行了应用分析.
本文針對微電子工業的基礎材料——單晶硅進行瞭其生長缺陷方麵的研究,基于300mm摻氮直拉單晶硅的生長、原生氧沉澱等方麵的熱處理進行瞭詳細分析,同時對極低電阻率的情況下分析瞭摻氮重摻砷和重摻燐直拉硅單晶的生長和氧沉澱等方麵進行瞭應用分析.
본문침대미전자공업적기출재료——단정규진행료기생장결함방면적연구,기우300mm참담직랍단정규적생장、원생양침정등방면적열처리진행료상세분석,동시대겁저전조솔적정황하분석료참담중참신화중참린직랍규단정적생장화양침정등방면진행료응용분석.
