兰州理工大学学报
蘭州理工大學學報
란주리공대학학보
JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2014年
4期
97-100
,共4页
吴有智%马继晶%张运虎%张材荣%张定军
吳有智%馬繼晶%張運虎%張材榮%張定軍
오유지%마계정%장운호%장재영%장정군
有机半导体%NPB%空穴迁移率%空间电荷
有機半導體%NPB%空穴遷移率%空間電荷
유궤반도체%NPB%공혈천이솔%공간전하
organic semiconductor%NPB%hole mobility%space charge
以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'diamine)为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600～1 000 V1/2 cm-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10-5～3.5×10-4 cm2 V-1 s-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触.
以典型有機半導體材料——胺類衍生物NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'diamine)為空穴傳輸層,採用MoO3為暘極緩遲層製備結構簡單的隻有空穴傳輸的單載流子器件.以空間電荷理論為基礎,利用從器件電流-電壓關繫變換而來的一箇特殊而簡單的函數確定齣電場彊度在600～1 000 V1/2 cm-1/2時,NPB空穴遷移率位于1.1×10-5～3.5×10-4 cm2 V-1 s-1,這與文獻報導採用其他方法得到的結果接近,錶明這是一種簡單而有效的確定有機半導體載流子遷移率的方法,同時也錶明MoO3為暘極緩遲層可在ITO/NPB間形成良好的歐姆接觸.
이전형유궤반도체재료——알류연생물NPB(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'diamine)위공혈전수층,채용MoO3위양겁완충층제비결구간단적지유공혈전수적단재류자기건.이공간전하이론위기출,이용종기건전류-전압관계변환이래적일개특수이간단적함수학정출전장강도재600～1 000 V1/2 cm-1/2시,NPB공혈천이솔위우1.1×10-5～3.5×10-4 cm2 V-1 s-1,저여문헌보도채용기타방법득도적결과접근,표명저시일충간단이유효적학정유궤반도체재류자천이솔적방법,동시야표명MoO3위양겁완충층가재ITO/NPB간형성량호적구모접촉.
