仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2014年
8期
95-97,110
,共4页
暂态过电压%氧化锌压敏电阻%8/20μs冲击性能%预处理%双肖特基导电机理%压敏电压
暫態過電壓%氧化鋅壓敏電阻%8/20μs遲擊性能%預處理%雙肖特基導電機理%壓敏電壓
잠태과전압%양화자압민전조%8/20μs충격성능%예처리%쌍초특기도전궤리%압민전압
transient over voltage%MOV%capability under 8/20 μs current impact%pretreatment%the Dual Schottky barrier conductive theory%breakdown voltage
针对氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片在实际工作环境中会遭受过电压作用问题,设计了暂态过电压预处理后MOV耐受冲击老化试验,研究了不同幅值工频交流暂态过电压5 s作用下MOV芯片耐冲击老化性能变化.试验结果表明:MOV芯片经暂态过电压预处理后压敏电压升高,耐8/20 μs电流波冲击次数增多;暂态过电压预处理后芯片冲击过程中压敏电压呈现下降-保持-下降过程,与未经预处理芯片压敏电压变化过程有所不同.结合双肖特基势垒导电机理推论出工频交流瞬时过电压作用下,氧化锌晶界两侧势垒高度变化过程,并经过试验数据分析证明此推论的合理性.为研究暂态过电压对MOV冲击性能影响及生产厂家预老化工艺的合理性提供试验依据.
針對氧化鋅壓敏電阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片在實際工作環境中會遭受過電壓作用問題,設計瞭暫態過電壓預處理後MOV耐受遲擊老化試驗,研究瞭不同幅值工頻交流暫態過電壓5 s作用下MOV芯片耐遲擊老化性能變化.試驗結果錶明:MOV芯片經暫態過電壓預處理後壓敏電壓升高,耐8/20 μs電流波遲擊次數增多;暫態過電壓預處理後芯片遲擊過程中壓敏電壓呈現下降-保持-下降過程,與未經預處理芯片壓敏電壓變化過程有所不同.結閤雙肖特基勢壘導電機理推論齣工頻交流瞬時過電壓作用下,氧化鋅晶界兩側勢壘高度變化過程,併經過試驗數據分析證明此推論的閤理性.為研究暫態過電壓對MOV遲擊性能影響及生產廠傢預老化工藝的閤理性提供試驗依據.
침대양화자압민전조(Metal Oxide Varistor,MOV)심편재실제공작배경중회조수과전압작용문제,설계료잠태과전압예처리후MOV내수충격노화시험,연구료불동폭치공빈교류잠태과전압5 s작용하MOV심편내충격노화성능변화.시험결과표명:MOV심편경잠태과전압예처리후압민전압승고,내8/20 μs전류파충격차수증다;잠태과전압예처리후심편충격과정중압민전압정현하강-보지-하강과정,여미경예처리심편압민전압변화과정유소불동.결합쌍초특기세루도전궤리추론출공빈교류순시과전압작용하,양화자정계량측세루고도변화과정,병경과시험수거분석증명차추론적합이성.위연구잠태과전압대MOV충격성능영향급생산엄가예노화공예적합이성제공시험의거.
