红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2014年
4期
333-336
,共4页
王云姬%唐恒敬%李雪%邵秀梅%杨波%邓双燕%龚海梅
王雲姬%唐恆敬%李雪%邵秀梅%楊波%鄧雙燕%龔海梅
왕운희%당항경%리설%소수매%양파%산쌍연%공해매
InGaAs%诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)%扩散掩膜%暗电流
InGaAs%誘導耦閤等離子體化學氣相沉積(ICP-CVD)%擴散掩膜%暗電流
InGaAs%유도우합등리자체화학기상침적(ICP-CVD)%확산엄막%암전류
InGaAs%ICP-CVD%diffusion mask%dark current
测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70 μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积(PECVD)和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显示采用两种掩膜方式的器件的平均峰值响应率、探测率和量子效率分别为0.73和0.78 A/W,6.20E11和6.32E1 1cmHz1/2W-1,56.0％和62.0％;两种器件的响应波段分别为1.63～1.68 μm和1.62～1.69 μm;平均暗电流密度分别为312.9 nA/cm2和206 nA/cm2.通过理论分析两种器件的暗电流成分,结果显示,相对于采用PECVD作为扩散掩膜生长方式而言,采用ICP-CVD作为扩散掩膜生长方式大大降低了器件的欧姆暗电流成分.
測量瞭不同擴散掩膜生長方式的截止波長為1.70 μm的InGaAs平麵探測器的電學性能.其中,SiNx薄膜作為擴散掩膜,分彆採用等離子體化學氣相沉積(PECVD)和低溫誘導耦閤等離子體化學氣相沉積(ICP-CVD)生長.探測器銲接在杜瓦裏測量,結果顯示採用兩種掩膜方式的器件的平均峰值響應率、探測率和量子效率分彆為0.73和0.78 A/W,6.20E11和6.32E1 1cmHz1/2W-1,56.0％和62.0％;兩種器件的響應波段分彆為1.63～1.68 μm和1.62～1.69 μm;平均暗電流密度分彆為312.9 nA/cm2和206 nA/cm2.通過理論分析兩種器件的暗電流成分,結果顯示,相對于採用PECVD作為擴散掩膜生長方式而言,採用ICP-CVD作為擴散掩膜生長方式大大降低瞭器件的歐姆暗電流成分.
측량료불동확산엄막생장방식적절지파장위1.70 μm적InGaAs평면탐측기적전학성능.기중,SiNx박막작위확산엄막,분별채용등리자체화학기상침적(PECVD)화저온유도우합등리자체화학기상침적(ICP-CVD)생장.탐측기한접재두와리측량,결과현시채용량충엄막방식적기건적평균봉치향응솔、탐측솔화양자효솔분별위0.73화0.78 A/W,6.20E11화6.32E1 1cmHz1/2W-1,56.0％화62.0％;량충기건적향응파단분별위1.63～1.68 μm화1.62～1.69 μm;평균암전류밀도분별위312.9 nA/cm2화206 nA/cm2.통과이론분석량충기건적암전류성분,결과현시,상대우채용PECVD작위확산엄막생장방식이언,채용ICP-CVD작위확산엄막생장방식대대강저료기건적구모암전류성분.
