材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2014年
9期
32-38
,共7页
彭洁%李子全%刘劲松%蒋明%许奇
彭潔%李子全%劉勁鬆%蔣明%許奇
팽길%리자전%류경송%장명%허기
Ge/SiO2多层薄膜%射频磁控溅射%退火温度%UV-VIS光谱%小角度X射线衍射
Ge/SiO2多層薄膜%射頻磁控濺射%退火溫度%UV-VIS光譜%小角度X射線衍射
Ge/SiO2다층박막%사빈자공천사%퇴화온도%UV-VIS광보%소각도X사선연사
Ge/SiO2 multilayer film%RF magnetron sputtering%annealing temperature%UV-VIS spectra%SAXRD
采用磁控溅射技术在石英衬底上制备出(Ge/SiO2)15多层膜,并在不同温度下对其进行退火处理.XRD和Raman结果表明:溅射态的薄膜为非晶态,当退火温度为500℃时开始出现明显的结晶衍射峰,随后晶化率明显增大,当600℃后,薄膜的晶化率几乎不变.FESEM和小角度X射线衍射结果表明:溅射态薄膜的层与层之间存在明显的界面,具有良好的周期性,升高退火温度,晶粒尺寸增大,但仍保持周期性结构.薄膜的紫外可见光吸收光谱表明:随着退火温度的升高,吸收边发生红移,光学带隙从溅射态的1.86eV减小到600℃时的1.59eV.
採用磁控濺射技術在石英襯底上製備齣(Ge/SiO2)15多層膜,併在不同溫度下對其進行退火處理.XRD和Raman結果錶明:濺射態的薄膜為非晶態,噹退火溫度為500℃時開始齣現明顯的結晶衍射峰,隨後晶化率明顯增大,噹600℃後,薄膜的晶化率幾乎不變.FESEM和小角度X射線衍射結果錶明:濺射態薄膜的層與層之間存在明顯的界麵,具有良好的週期性,升高退火溫度,晶粒呎吋增大,但仍保持週期性結構.薄膜的紫外可見光吸收光譜錶明:隨著退火溫度的升高,吸收邊髮生紅移,光學帶隙從濺射態的1.86eV減小到600℃時的1.59eV.
채용자공천사기술재석영츤저상제비출(Ge/SiO2)15다층막,병재불동온도하대기진행퇴화처리.XRD화Raman결과표명:천사태적박막위비정태,당퇴화온도위500℃시개시출현명현적결정연사봉,수후정화솔명현증대,당600℃후,박막적정화솔궤호불변.FESEM화소각도X사선연사결과표명:천사태박막적층여층지간존재명현적계면,구유량호적주기성,승고퇴화온도,정립척촌증대,단잉보지주기성결구.박막적자외가견광흡수광보표명:수착퇴화온도적승고,흡수변발생홍이,광학대극종천사태적1.86eV감소도600℃시적1.59eV.
