化学分析计量
化學分析計量
화학분석계량
CHEMICAL ANALYSIS AND METERAGE
2014年
5期
19-23
,共5页
王梅玲%王海%高思田%宋小平%中川茂树
王梅玲%王海%高思田%宋小平%中川茂樹
왕매령%왕해%고사전%송소평%중천무수
半金属%(001)择优取向%外延生长%缓冲层
半金屬%(001)擇優取嚮%外延生長%緩遲層
반금속%(001)택우취향%외연생장%완충층
half metal%(001)-orientation%epitaxial growth%buffer layer
半金属材料Fe3O4具有理论上100%的自旋极化率,其居里温度高达860 K,具有室温操作的可能。此外, Fe3O4与MgO晶格具有较低的失配率(0.3%),将二者结合起来有利于磁阻的进一步提高,因此Fe3O4材料成为制备磁阻器件的候选材料。采用对靶磁控溅射的方法,实现了低温制备纳米级别Fe3O4(001)薄膜。利用X射线衍射测量,采用小角掠射(掠射角为2o)、2θ/θ联动模式、步进扫描方式,成功获得其择优取向的图谱。通过XRD与TEM截面样品暗场选区电子衍射相结合的方法,可以定性区分各层薄膜的择优取向。
半金屬材料Fe3O4具有理論上100%的自鏇極化率,其居裏溫度高達860 K,具有室溫操作的可能。此外, Fe3O4與MgO晶格具有較低的失配率(0.3%),將二者結閤起來有利于磁阻的進一步提高,因此Fe3O4材料成為製備磁阻器件的候選材料。採用對靶磁控濺射的方法,實現瞭低溫製備納米級彆Fe3O4(001)薄膜。利用X射線衍射測量,採用小角掠射(掠射角為2o)、2θ/θ聯動模式、步進掃描方式,成功穫得其擇優取嚮的圖譜。通過XRD與TEM截麵樣品暗場選區電子衍射相結閤的方法,可以定性區分各層薄膜的擇優取嚮。
반금속재료Fe3O4구유이론상100%적자선겁화솔,기거리온도고체860 K,구유실온조작적가능。차외, Fe3O4여MgO정격구유교저적실배솔(0.3%),장이자결합기래유리우자조적진일보제고,인차Fe3O4재료성위제비자조기건적후선재료。채용대파자공천사적방법,실현료저온제비납미급별Fe3O4(001)박막。이용X사선연사측량,채용소각략사(략사각위2o)、2θ/θ련동모식、보진소묘방식,성공획득기택우취향적도보。통과XRD여TEM절면양품암장선구전자연사상결합적방법,가이정성구분각층박막적택우취향。
Half metallic Fe3O4 films obtained an interest due to their theoretical 100%spin polarization and high curie temperature of 860 K. The combination of tunneling barrier MgO and Fe3O4 films with a low lattice misfit of 0.3%was expected to get a higher MR ratio. The epitaxial growth of (001)-oriented MgO layer and Fe3O4 (001) layer at low temperature were successful using Fe buffer layer on amorphous glass substrate. X-Ray diffraction with 2o grazing angle and FT scanning combined with 2θ/θmode was effective to measurement (001)-orientated films with weak crystallinity. The (001)-orientation of two different layers with small lattice misfit can be distinguished through combination of XRD and selected ED of TEM.