发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
10期
1165-1171
,共7页
氧化锌%铝掺杂%电沉积%带隙蓝移%斯托克斯位移
氧化鋅%鋁摻雜%電沉積%帶隙藍移%斯託剋斯位移
양화자%려참잡%전침적%대극람이%사탁극사위이
ZnO%Al doping%electrodeposition%band gap blue shift%Stokes shift
使用电沉积方法在溶解有Zn(NO3)2、NH4NO3、Al(NO3)3的水溶液中制备出Al掺杂的ZnO纳米柱阵列.电解液中添加的NH4NO3抑制了添加Al(NO3)3导致的层状纳米结构的生长,可得到高质量的ZnO纳米柱阵列.通过控制电解液中Al(NO3)3的浓度可操控所制备的ZnO纳米柱阵列的直径、密度、间距和Al/Zn的重量比.Al掺杂引起ZnO纳米柱内部载流子浓度增加,在布尔斯坦-莫斯效应作用下,纳米柱的光学带隙蓝移至3.64~3.65 eV.ZnO纳米柱内部的非辐射复合导致其近带边发射产生215~225 meV的斯托克斯位移.
使用電沉積方法在溶解有Zn(NO3)2、NH4NO3、Al(NO3)3的水溶液中製備齣Al摻雜的ZnO納米柱陣列.電解液中添加的NH4NO3抑製瞭添加Al(NO3)3導緻的層狀納米結構的生長,可得到高質量的ZnO納米柱陣列.通過控製電解液中Al(NO3)3的濃度可操控所製備的ZnO納米柱陣列的直徑、密度、間距和Al/Zn的重量比.Al摻雜引起ZnO納米柱內部載流子濃度增加,在佈爾斯坦-莫斯效應作用下,納米柱的光學帶隙藍移至3.64~3.65 eV.ZnO納米柱內部的非輻射複閤導緻其近帶邊髮射產生215~225 meV的斯託剋斯位移.
사용전침적방법재용해유Zn(NO3)2、NH4NO3、Al(NO3)3적수용액중제비출Al참잡적ZnO납미주진렬.전해액중첨가적NH4NO3억제료첨가Al(NO3)3도치적층상납미결구적생장,가득도고질량적ZnO납미주진렬.통과공제전해액중Al(NO3)3적농도가조공소제비적ZnO납미주진렬적직경、밀도、간거화Al/Zn적중량비.Al참잡인기ZnO납미주내부재류자농도증가,재포이사탄-막사효응작용하,납미주적광학대극람이지3.64~3.65 eV.ZnO납미주내부적비복사복합도치기근대변발사산생215~225 meV적사탁극사위이.