物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2014年
10期
1-3,7
,共4页
黑硅%霍尔效应%载流子浓度%迁移率
黑硅%霍爾效應%載流子濃度%遷移率
흑규%곽이효응%재류자농도%천이솔
black silicon%Hall effect%carrier concentration%carrier mobility
利用霍尔效应测量了不同温度热退火后的黑硅的霍尔系数、载流子浓度、载流子迁移率和电导率。随着热退火温度的升高，黑硅内载流子的浓度缓慢下降，载流子迁移率却同步增加，这说明黑硅内载流子散射的主要形式是电离杂质散射。
利用霍爾效應測量瞭不同溫度熱退火後的黑硅的霍爾繫數、載流子濃度、載流子遷移率和電導率。隨著熱退火溫度的升高，黑硅內載流子的濃度緩慢下降，載流子遷移率卻同步增加，這說明黑硅內載流子散射的主要形式是電離雜質散射。
이용곽이효응측량료불동온도열퇴화후적흑규적곽이계수、재류자농도、재류자천이솔화전도솔。수착열퇴화온도적승고，흑규내재류자적농도완만하강，재류자천이솔각동보증가，저설명흑규내재류자산사적주요형식시전리잡질산사。
The Hall coefficient ,carrier concentration ,carrier mobility and conductivity of an-nealed black silicon were measured by Hall effect .With rising annealing temperature ,the carrier con-centration decreased slowly ,and the carrier mobility raised at the same time .Thus the main scattering process in black silicon was caused by ionized impurity .
