电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2014年
10期
5-7,13
,共4页
王磊%王添依%张弛%张海磊%冯玢
王磊%王添依%張弛%張海磊%馮玢
왕뢰%왕첨의%장이%장해뢰%풍분
多线切割机%SiC 晶锭%游离磨粒%金刚石切割线
多線切割機%SiC 晶錠%遊離磨粒%金剛石切割線
다선절할궤%SiC 정정%유리마립%금강석절할선
M ulti-w ire saw%SiC ingot%Free abrasive%D iam ond w ire
通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC 晶锭分别进行切割试验,在对比两种方法的切割效果基础上,探讨两种切割方法对SiC 晶片表面质量和弯曲度的作用和效果,并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线配合游离磨粒切割法切割出的SiC 晶片表面质量较好,但用时较长,适用于小型实验;金刚石线与砂浆配合切割法切割出的SiC 晶片几何参数更好且稳定,且加工效率较高,适用于大型生产。
通過採用鍍銅鋼線配閤遊離磨粒切割法和金剛石線與砂漿配閤切割法對SiC 晶錠分彆進行切割試驗,在對比兩種方法的切割效果基礎上,探討兩種切割方法對SiC 晶片錶麵質量和彎麯度的作用和效果,併對比兩種方法的優點。通過探討總結齣鍍銅鋼線配閤遊離磨粒切割法切割齣的SiC 晶片錶麵質量較好,但用時較長,適用于小型實驗;金剛石線與砂漿配閤切割法切割齣的SiC 晶片幾何參數更好且穩定,且加工效率較高,適用于大型生產。
통과채용도동강선배합유리마립절할법화금강석선여사장배합절할법대SiC 정정분별진행절할시험,재대비량충방법적절할효과기출상,탐토량충절할방법대SiC 정편표면질량화만곡도적작용화효과,병대비량충방법적우점。통과탐토총결출도동강선배합유리마립절할법절할출적SiC 정편표면질량교호,단용시교장,괄용우소형실험;금강석선여사장배합절할법절할출적SiC 정편궤하삼수경호차은정,차가공효솔교고,괄용우대형생산。
C utting experim ents for SiC ingots w ere taken through two methods:copper-coated steel wire com bined with free abrasive, and diam ond wire com bined with mortar, respectively. A fterw ards, effects to surface quality and waferwar pofas-cutted wafers by the two methods were discussed and the advantages w ere com pared.Itis confirm ed thatthe form er m ethod leads to better surface quality as wellasmoretimecost,which issuitableforsmall-scaleexperiments;whilethelatermethod leadsto better shape param eter as wellas more process efficiency,which is suitable for large-scale producing.