河北科技师范学院学报
河北科技師範學院學報
하북과기사범학원학보
JOURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY
2014年
3期
58-63
,共6页
王燕%朱雪萍%崔飞玲%史威威%贾莹莹%张志伟
王燕%硃雪萍%崔飛玲%史威威%賈瑩瑩%張誌偉
왕연%주설평%최비령%사위위%가형형%장지위
Zn2SiO4∶ Mn2+%电子结构%光学性质%第一性原理
Zn2SiO4∶ Mn2+%電子結構%光學性質%第一性原理
Zn2SiO4∶ Mn2+%전자결구%광학성질%제일성원리
采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算.计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p决定;静态介电函数ε1(0) =2.82;折射率n0=1.75;吸收系数最大峰值为7.37×104 cm-1;利用计算的能带结构和态密度分析了Zn2SiO4∶Mn2+材料的介电函数、反射谱、复折射率以及消光系数等光学性质,为Zn2SiO4∶ Mn2+发光材料的设计与应用提供了理论依据.
採用基于密度汎函(DFT)理論的第一性原理平麵波超軟贗勢計算方法,對Zn2SiO4∶Mn2+的電子結構(能結構、態密度)和光學性質進行瞭理論計算.計算結果錶明,Zn2SiO4∶Mn2+是一種間接帶隙半導體,禁帶寬度為2.934 eV;其能態密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p決定;靜態介電函數ε1(0) =2.82;摺射率n0=1.75;吸收繫數最大峰值為7.37×104 cm-1;利用計算的能帶結構和態密度分析瞭Zn2SiO4∶Mn2+材料的介電函數、反射譜、複摺射率以及消光繫數等光學性質,為Zn2SiO4∶ Mn2+髮光材料的設計與應用提供瞭理論依據.
채용기우밀도범함(DFT)이론적제일성원리평면파초연안세계산방법,대Zn2SiO4∶Mn2+적전자결구(능결구、태밀도)화광학성질진행료이론계산.계산결과표명,Zn2SiO4∶Mn2+시일충간접대극반도체,금대관도위2.934 eV;기능태밀도주요유Zn-3d,O-2p화Si-3p결정;정태개전함수ε1(0) =2.82;절사솔n0=1.75;흡수계수최대봉치위7.37×104 cm-1;이용계산적능대결구화태밀도분석료Zn2SiO4∶Mn2+재료적개전함수、반사보、복절사솔이급소광계수등광학성질,위Zn2SiO4∶ Mn2+발광재료적설계여응용제공료이론의거.
