中国粉体技术
中國粉體技術
중국분체기술
CHINA POWDER SCIENCE AND TECHNOLOGY
2014年
5期
37-41
,共5页
刘宝元%马蕾%张雷%周鹏力%何静芳
劉寶元%馬蕾%張雷%週鵬力%何靜芳
류보원%마뢰%장뢰%주붕력%하정방
第一性原理%掺杂%电子结构
第一性原理%摻雜%電子結構
제일성원리%참잡%전자결구
first-principles%doping%electronic structure
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算未掺杂,In、As单掺及In-As共掺GaSb的晶格参数、能带结构、态密度和吸收光谱.结果表明:掺杂后GaSb晶格发生畸变,As单掺GaSb的晶格常数增大,带隙减小,导致吸收光谱蓝移;而In单掺和In-As共掺GaSb晶格常数变大,且禁带宽度均减小,致使吸收光谱红移,这也是实验上造成掺杂GaSb热光伏电池吸收光谱扩展的原因.
採用基于密度汎函理論的第一性原理平麵波超軟贗勢法,計算未摻雜,In、As單摻及In-As共摻GaSb的晶格參數、能帶結構、態密度和吸收光譜.結果錶明:摻雜後GaSb晶格髮生畸變,As單摻GaSb的晶格常數增大,帶隙減小,導緻吸收光譜藍移;而In單摻和In-As共摻GaSb晶格常數變大,且禁帶寬度均減小,緻使吸收光譜紅移,這也是實驗上造成摻雜GaSb熱光伏電池吸收光譜擴展的原因.
채용기우밀도범함이론적제일성원리평면파초연안세법,계산미참잡,In、As단참급In-As공참GaSb적정격삼수、능대결구、태밀도화흡수광보.결과표명:참잡후GaSb정격발생기변,As단참GaSb적정격상수증대,대극감소,도치흡수광보람이;이In단참화In-As공참GaSb정격상수변대,차금대관도균감소,치사흡수광보홍이,저야시실험상조성참잡GaSb열광복전지흡수광보확전적원인.
