装备制造技术
裝備製造技術
장비제조기술
EQUIPMENT MANUFACTURING TECHNOLOGY
2014年
9期
269-270
,共2页
正电子湮没%符合技术%d电1子%f电子
正電子湮沒%符閤技術%d電1子%f電子
정전자인몰%부합기술%d전1자%f전자
使用Ge-NaI双探头系统,同时用符合技术对信号进行选择,测量出Si的一维符合正电子湮没多普勒展宽谱线,此技术可大幅度降低谱线本底,使得谱线峰高与本底之比大于104.可以直接反映高能端核心电子信息.
使用Ge-NaI雙探頭繫統,同時用符閤技術對信號進行選擇,測量齣Si的一維符閤正電子湮沒多普勒展寬譜線,此技術可大幅度降低譜線本底,使得譜線峰高與本底之比大于104.可以直接反映高能耑覈心電子信息.
사용Ge-NaI쌍탐두계통,동시용부합기술대신호진행선택,측량출Si적일유부합정전자인몰다보륵전관보선,차기술가대폭도강저보선본저,사득보선봉고여본저지비대우104.가이직접반영고능단핵심전자신식.
