红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2014年
5期
472-476
,共5页
张利学%孙维国%吕衍秋%张向锋%姚官生%张小雷%司俊杰
張利學%孫維國%呂衍鞦%張嚮鋒%姚官生%張小雷%司俊傑
장리학%손유국%려연추%장향봉%요관생%장소뢰%사준걸
半导体材料%InAs/GaSbⅡ类超晶格%MBE%ICP干法刻蚀%湿法腐蚀
半導體材料%InAs/GaSbⅡ類超晶格%MBE%ICP榦法刻蝕%濕法腐蝕
반도체재료%InAs/GaSbⅡ류초정격%MBE%ICP간법각식%습법부식
semiconductor material%type Ⅱ InAs/GaSb superlattice%MBE%ICP dry etch%wet-chemical etching
研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.
研究瞭InAs/GaSbⅡ類超晶格的幾種檯麵腐蝕方法.實驗所用的InAs/GaSbⅡ類超晶格材料是使用分子束外延設備生長的,材料採用PIN結構,單層結構為8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蝕方法分為榦法刻蝕和濕法腐蝕兩大類.榦法刻蝕使用不同的刻蝕氣氛,包括甲基、氯基和氬氣;濕法化學腐蝕採用瞭燐痠繫和酒石痠痠繫的腐蝕液.腐蝕後的材料檯階高度是使用α檯階儀測量,錶麵形貌通過晶相顯微鏡和掃描電鏡錶徵.經過對比研究認為,榦法刻蝕中甲基氣氛刻蝕後的檯麵平整,側壁光滑,側壁角度為約80度,檯階深度易控製,適閤深檯階材料製作.濕法腐蝕中燐痠繫腐蝕效果好,檯麵平整,下切小,錶麵無殘留,適用于焦平麵紅外器件製作工藝.
연구료InAs/GaSbⅡ류초정격적궤충태면부식방법.실험소용적InAs/GaSbⅡ류초정격재료시사용분자속외연설비생장적,재료채용PIN결구,단층결구위8 ML InAs/8 ML GaSb.부식방법분위간법각식화습법부식량대류.간법각식사용불동적각식기분,포괄갑기、록기화아기;습법화학부식채용료린산계화주석산산계적부식액.부식후적재료태계고도시사용α태계의측량,표면형모통과정상현미경화소묘전경표정.경과대비연구인위,간법각식중갑기기분각식후적태면평정,측벽광활,측벽각도위약80도,태계심도역공제,괄합심태계재료제작.습법부식중린산계부식효과호,태면평정,하절소,표면무잔류,괄용우초평면홍외기건제작공예.
