常州工学院学报
常州工學院學報
상주공학원학보
JOURNAL OF CHANGZHOU INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2014年
4期
28-32
,共5页
张黎君%韩益锋%董良威%姚文卿%翟明静
張黎君%韓益鋒%董良威%姚文卿%翟明靜
장려군%한익봉%동량위%요문경%적명정
全CMOS%基准电压源%RFID标签芯片
全CMOS%基準電壓源%RFID標籤芯片
전CMOS%기준전압원%RFID표첨심편
文章分析了射频电子标签芯片电源的特点,根据电源低电压和低成本要求,讨论了传统的带隙基准源和全CMOS的基准电压源电路方案,设计并实现了一种适合电子标签芯片应用的全CMOS的基准电压源电路.该电路采用SMIC 0.18 μm标准CMOS工艺实现,电源电压范围为1～5V,电源敏感度为1～3 ％/V,输出电压的温度特性为3～20.7 ppm/℃,符合射频电子标签的设计要求.
文章分析瞭射頻電子標籤芯片電源的特點,根據電源低電壓和低成本要求,討論瞭傳統的帶隙基準源和全CMOS的基準電壓源電路方案,設計併實現瞭一種適閤電子標籤芯片應用的全CMOS的基準電壓源電路.該電路採用SMIC 0.18 μm標準CMOS工藝實現,電源電壓範圍為1～5V,電源敏感度為1～3 ％/V,輸齣電壓的溫度特性為3～20.7 ppm/℃,符閤射頻電子標籤的設計要求.
문장분석료사빈전자표첨심편전원적특점,근거전원저전압화저성본요구,토론료전통적대극기준원화전CMOS적기준전압원전로방안,설계병실현료일충괄합전자표첨심편응용적전CMOS적기준전압원전로.해전로채용SMIC 0.18 μm표준CMOS공예실현,전원전압범위위1～5V,전원민감도위1～3 ％/V,수출전압적온도특성위3～20.7 ppm/℃,부합사빈전자표첨적설계요구.
