冶金分析
冶金分析
야금분석
METALLURGICAL ANALYSIS
2014年
10期
42-46
,共5页
电感耦合等离子体原子发射光谱法%太阳能级硅%洁净室%硼
電感耦閤等離子體原子髮射光譜法%太暘能級硅%潔淨室%硼
전감우합등리자체원자발사광보법%태양능급규%길정실%붕
inductively coupled plasma atomic emission spectrometry%solar grade silicon%clean room%boron
研究了用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中硼的方法.试验发现,在110℃左右的温度下,用氢氟酸和硝酸的混合溶液作溶剂,试样在PFA烧杯中能较快溶解,且在溶样时添加0.3 mL甘露醇,可有效抑制硼的损失.在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si),可控制样品空白中硼元素含量小于1 μg/L,并能抑制部分基体效应.在仪器最佳工作状态下,选取B 182.641 nm作为分析谱线,方法的检出限为18.10 μg/L,回收率在92％～108％之间,相对标准偏差(RSD,n=11)不大于7.2％.样品中硼的测定结果与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合.
研究瞭用電感耦閤等離子體原子髮射光譜儀(ICP-AES)測定太暘能級硅(SOG-Si)中硼的方法.試驗髮現,在110℃左右的溫度下,用氫氟痠和硝痠的混閤溶液作溶劑,試樣在PFA燒杯中能較快溶解,且在溶樣時添加0.3 mL甘露醇,可有效抑製硼的損失.在1000級潔淨室中,用金屬氧化物半導體(MOS)級試劑溶解電子級硅(EG-Si),可控製樣品空白中硼元素含量小于1 μg/L,併能抑製部分基體效應.在儀器最佳工作狀態下,選取B 182.641 nm作為分析譜線,方法的檢齣限為18.10 μg/L,迴收率在92％～108％之間,相對標準偏差(RSD,n=11)不大于7.2％.樣品中硼的測定結果與電感耦閤等離子體質譜(ICP-MS)法及輝光放電質譜(GDMS)法進行瞭比對,結果吻閤.
연구료용전감우합등리자체원자발사광보의(ICP-AES)측정태양능급규(SOG-Si)중붕적방법.시험발현,재110℃좌우적온도하,용경불산화초산적혼합용액작용제,시양재PFA소배중능교쾌용해,차재용양시첨가0.3 mL감로순,가유효억제붕적손실.재1000급길정실중,용금속양화물반도체(MOS)급시제용해전자급규(EG-Si),가공제양품공백중붕원소함량소우1 μg/L,병능억제부분기체효응.재의기최가공작상태하,선취B 182.641 nm작위분석보선,방법적검출한위18.10 μg/L,회수솔재92％～108％지간,상대표준편차(RSD,n=11)불대우7.2％.양품중붕적측정결과여전감우합등리자체질보(ICP-MS)법급휘광방전질보(GDMS)법진행료비대,결과문합.
