CAJ | 학술논문

GaN基LED具有高亮度、低能耗、寿命长、响应速度快等优良特性，在固态照明、液晶背光源、全色显示等领域有着广泛的应用。在大电流驱动时维持高效率，是LED 提升亮度和降低成本的关键，但是LED的效率却会随着电流上升而减弱，即Efficiency droop。Efficiency droop的产生机理主要有俄歇复合（Auger recombination）、载流子泄漏（Carrier leakage）、结的热效应（Junction heating）和载流子的离域化（Carrier delocalization）等，其中俄歇复合和载流子泄露是两个主流观点。本文详述了改善Efficiency droop的研究进展，指出适当加宽量子阱、采用极化匹配的量子阱垒结构、电子阻挡层或InGaN量子垒、调整量子垒的掺杂分布、减薄量子垒等，能有效减弱Efficiency droop，提高大电流下LED的光效。
GaN기LED구유고량도、저능모、수명장、향응속도쾌등우량특성，재고태조명、액정배광원、전색현시등영역유착엄범적응용。재대전류구동시유지고효솔，시LED 제승량도화강저성본적관건，단시LED적효솔각회수착전류상승이감약，즉Efficiency droop。Efficiency droop적산생궤리주요유아헐복합（Auger recombination）、재류자설루（Carrier leakage）、결적열효응（Junction heating）화재류자적리역화（Carrier delocalization）등，기중아헐복합화재류자설로시량개주류관점。본문상술료개선Efficiency droop적연구진전，지출괄당가관양자정、채용겁화필배적양자정루결구、전자조당층혹InGaN양자루、조정양자루적참잡분포、감박양자루등，능유효감약Efficiency droop，제고대전류하LED적광효。