CAJ | 학술논문

InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率，低场迁移率，是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片，很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片，在AlN/普通康宁玻璃基片结构上，改变不同沉积温度制备,InN薄膜，得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好，薄膜衬底成本廉价，可用于大面积制造大功率，高频率器件，降低其成本价格。
InN재료구유최소적유효질량화최고적재류자천이솔、포화표이속솔，저장천이솔，시중요적반도체재료。해연구논문이개격저렴적보통파리작위InN박막적기편，흔대정도적강저료기성본개격。본실험이보통강저파리위츤저기편，재AlN/보통강저파리기편결구상，개변불동침적온도제비,InN박막，득도InN/AlN/보통강저파리결구적고공솔고빈솔기건적초기박막결구。해연구논문제비적광전박막기건균균성호，박막츤저성본렴개，가용우대면적제조대공솔，고빈솔기건，강저기성본개격。