物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2014年
10期
1841-1846
,共6页
崔建功%张霞%颜鑫%李军帅%黄永清%任晓敏
崔建功%張霞%顏鑫%李軍帥%黃永清%任曉敏
최건공%장하%안흠%리군수%황영청%임효민
GaAs纳米线%第一性原理计算%表面悬挂键%表面修饰%电子结构
GaAs納米線%第一性原理計算%錶麵懸掛鍵%錶麵脩飾%電子結構
GaAs납미선%제일성원리계산%표면현괘건%표면수식%전자결구
GaAs nanowire%First-principles calculation%Surface dangling bond%Surface modification%Electronic structure
采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构.在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料(H、F、Cl、Br和I)对GaAs纳米线电子结构的影响.计算结果表明,不同的原子修饰GaAs纳米线时对其能带结构的调制主要取决于它们对纳米线表面态的饱和能力.表面修饰不仅可以调节GaAs纳米线的能隙大小,而且也可以调制其能隙类型.GaAs纳米线的电子结构由表面效应和量子限制效应共同来决定.使用不同材料修饰表面的GaAs纳米线的能隙随直径的变化幅度并不相同.表面修饰为实现同种直径和同种结构的GaAs纳米线的能带工程提供了一种新的途径.
採用第一性原理的密度汎函方法,研究瞭利用錶麵脩飾來調製GaAs納米線的電子結構.在計算中攷慮瞭幾種不同的錶麵鈍化材料(H、F、Cl、Br和I)對GaAs納米線電子結構的影響.計算結果錶明,不同的原子脩飾GaAs納米線時對其能帶結構的調製主要取決于它們對納米線錶麵態的飽和能力.錶麵脩飾不僅可以調節GaAs納米線的能隙大小,而且也可以調製其能隙類型.GaAs納米線的電子結構由錶麵效應和量子限製效應共同來決定.使用不同材料脩飾錶麵的GaAs納米線的能隙隨直徑的變化幅度併不相同.錶麵脩飾為實現同種直徑和同種結構的GaAs納米線的能帶工程提供瞭一種新的途徑.
채용제일성원리적밀도범함방법,연구료이용표면수식래조제GaAs납미선적전자결구.재계산중고필료궤충불동적표면둔화재료(H、F、Cl、Br화I)대GaAs납미선전자결구적영향.계산결과표명,불동적원자수식GaAs납미선시대기능대결구적조제주요취결우타문대납미선표면태적포화능력.표면수식불부가이조절GaAs납미선적능극대소,이차야가이조제기능극류형.GaAs납미선적전자결구유표면효응화양자한제효응공동래결정.사용불동재료수식표면적GaAs납미선적능극수직경적변화폭도병불상동.표면수식위실현동충직경화동충결구적GaAs납미선적능대공정제공료일충신적도경.
