原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2014年
Z1期
708-711
,共4页
刘敏波%姚志斌%黄绍艳%何宝平%盛江坤
劉敏波%姚誌斌%黃紹豔%何寶平%盛江坤
류민파%요지빈%황소염%하보평%성강곤
SRAM器件%工艺尺寸%高温老炼%电离总剂量效应
SRAM器件%工藝呎吋%高溫老煉%電離總劑量效應
SRAM기건%공예척촌%고온노련%전리총제량효응
SRAM device%feature size%Burn-in%total-ionizing-dose effect
针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究.选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用50Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burn-in)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律.针对0.25 μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系.结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大.
針對輻照前高溫老練(Burn-in)影響SRAM器件的抗總劑量輻射能力問題,進行瞭實驗研究.選取瞭3種不同工藝呎吋SRAM存儲器,利用50Co放射源對經過高溫老煉和不經過高溫老煉(No Burn-in)的樣品進行瞭總劑量輻照實驗,測量瞭輻照引起的SRAM器件的數據位翻轉數,得到瞭Burn in對不同工藝呎吋SRAM器件總劑量效應的影響規律.針對0.25 μm工藝SRAM器件開展瞭不同Burn-in溫度影響器件抗輻射能力的實驗研究,得到瞭器件抗輻射性能與Burn-in溫度之間的關繫.結果錶明,SRAM器件的工藝呎吋越小,抗總劑量能力越彊,且受Burn in的影響越小;Burn-in時的溫度越高,對器件的抗總劑量水平影響越大.
침대복조전고온로련(Burn-in)영향SRAM기건적항총제량복사능력문제,진행료실험연구.선취료3충불동공예척촌SRAM존저기,이용50Co방사원대경과고온노련화불경과고온노련(No Burn-in)적양품진행료총제량복조실험,측량료복조인기적SRAM기건적수거위번전수,득도료Burn in대불동공예척촌SRAM기건총제량효응적영향규률.침대0.25 μm공예SRAM기건개전료불동Burn-in온도영향기건항복사능력적실험연구,득도료기건항복사성능여Burn-in온도지간적관계.결과표명,SRAM기건적공예척촌월소,항총제량능력월강,차수Burn in적영향월소;Burn-in시적온도월고,대기건적항총제량수평영향월대.
