CAJ | 학술논문

立方氮化硼（(CubieBoronNitride cBN）是一种人工合成的半导体材料，有很优异的物理、化学性质。cBN禁带较宽，宽度达6.4eV，截止波长为193nm，非常适合用于深紫外日盲区的探测。与其它用于紫外光探测的材料相比cBN具有介电常数小、禁带宽度更大、寄生电容小、工作温度高、器件的响应速度快、抗高能粒子辐射、耐腐蚀等优点，而且材料的击穿电压较高，是一种发展前景广阔的半导体材料。本文对立方氮化硼结构及对光吸收进行研究，指出其性质特点，揭示光吸收机理。
립방담화붕（(CubieBoronNitride cBN）시일충인공합성적반도체재료，유흔우이적물리、화학성질。cBN금대교관，관도체6.4eV，절지파장위193nm，비상괄합용우심자외일맹구적탐측。여기타용우자외광탐측적재료상비cBN구유개전상수소、금대관도경대、기생전용소、공작온도고、기건적향응속도쾌、항고능입자복사、내부식등우점，이차재료적격천전압교고，시일충발전전경엄활적반도체재료。본문대립방담화붕결구급대광흡수진행연구，지출기성질특점，게시광흡수궤리。