强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2014年
11期
189-193
,共5页
彭博栋%宋岩%盛亮%王培伟%袁媛%黑东炜%赵军
彭博棟%宋巖%盛亮%王培偉%袁媛%黑東煒%趙軍
팽박동%송암%성량%왕배위%원원%흑동위%조군
脉冲辐射探测%折射率调制%载流子浓度%干涉仪%超快脉冲探测技术
脈遲輻射探測%摺射率調製%載流子濃度%榦涉儀%超快脈遲探測技術
맥충복사탐측%절사솔조제%재류자농도%간섭의%초쾌맥충탐측기술
pulsed radiation detection%refractive index modulation%carrier density%interferometer%ultrafast-pulse detecting technology
为验证折射率调制的脉冲射线束探测技术,建立了原理验证系统.该系统基于平行平板干涉原理,测量传感介质的折射率在射线激发下的瞬时变化.传感介质为GaAs,探针光为1310 nm单模激光,外界激发射线源平均能量为300 keV,脉宽为20 ns.使用带宽775 kHz的近红外InGaAs光电探测器,观测到了GaAs晶体在脉冲射线激发下的折射率变化.初步理论分析表明,射线脉冲在GaAs中产生的非平衡载流子浓度为1014 cm-3量级,折射率变化为10-6量级.折射率变化的实验结果与理论计算在量级上是符合的.实验结果表明,基于折射率调制的脉冲射线束探测技术基本可行,利用该系统可进一步发展高时间分辨的脉冲射线束探测技术.
為驗證摺射率調製的脈遲射線束探測技術,建立瞭原理驗證繫統.該繫統基于平行平闆榦涉原理,測量傳感介質的摺射率在射線激髮下的瞬時變化.傳感介質為GaAs,探針光為1310 nm單模激光,外界激髮射線源平均能量為300 keV,脈寬為20 ns.使用帶寬775 kHz的近紅外InGaAs光電探測器,觀測到瞭GaAs晶體在脈遲射線激髮下的摺射率變化.初步理論分析錶明,射線脈遲在GaAs中產生的非平衡載流子濃度為1014 cm-3量級,摺射率變化為10-6量級.摺射率變化的實驗結果與理論計算在量級上是符閤的.實驗結果錶明,基于摺射率調製的脈遲射線束探測技術基本可行,利用該繫統可進一步髮展高時間分辨的脈遲射線束探測技術.
위험증절사솔조제적맥충사선속탐측기술,건립료원리험증계통.해계통기우평행평판간섭원리,측량전감개질적절사솔재사선격발하적순시변화.전감개질위GaAs,탐침광위1310 nm단모격광,외계격발사선원평균능량위300 keV,맥관위20 ns.사용대관775 kHz적근홍외InGaAs광전탐측기,관측도료GaAs정체재맥충사선격발하적절사솔변화.초보이론분석표명,사선맥충재GaAs중산생적비평형재류자농도위1014 cm-3량급,절사솔변화위10-6량급.절사솔변화적실험결과여이론계산재량급상시부합적.실험결과표명,기우절사솔조제적맥충사선속탐측기술기본가행,이용해계통가진일보발전고시간분변적맥충사선속탐측기술.
