强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2014年
11期
37-42
,共6页
安宁%李占国%何斌太%芦鹏%方铉%魏志鹏%刘国军
安寧%李佔國%何斌太%蘆鵬%方鉉%魏誌鵬%劉國軍
안저%리점국%하빈태%호붕%방현%위지붕%류국군
InGaAsSb/GaSb%应变量子阱%能带结构%自发发射谱
InGaAsSb/GaSb%應變量子阱%能帶結構%自髮髮射譜
InGaAsSb/GaSb%응변양자정%능대결구%자발발사보
InGaAsSb/GaSb%strained quantum well%band structure%spontaneous emission spectra
讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性(带阶)的影响.给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系.分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用.研究表明,随In组分的增加,InGaAsSb禁带宽度减小,应力加大,能带漂移增大,InGaAsSb/GaSb导带、价带的带阶减小.同时,利用上述研究结果合理地解释了InGaAsSb/GaSb自发发射谱的增益、发射峰位及半峰宽与In组分关系.研究In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构及自发发射谱的影响,可以定性地解释已有的实验报道.
討論瞭不同In組分對InGaAsSb/GaSb量子阱能帶結構,即帶隙及帶邊不連續性(帶階)的影響.給齣瞭較為精準的InGaAsSb禁帶寬度與In組分的關繫.分析瞭In組分對InGaAsSb/GaSb導帶、價帶帶階的作用.研究錶明,隨In組分的增加,InGaAsSb禁帶寬度減小,應力加大,能帶漂移增大,InGaAsSb/GaSb導帶、價帶的帶階減小.同時,利用上述研究結果閤理地解釋瞭InGaAsSb/GaSb自髮髮射譜的增益、髮射峰位及半峰寬與In組分關繫.研究In組分對InGaAsSb/GaSb量子阱能帶結構及自髮髮射譜的影響,可以定性地解釋已有的實驗報道.
토론료불동In조분대InGaAsSb/GaSb양자정능대결구,즉대극급대변불련속성(대계)적영향.급출료교위정준적InGaAsSb금대관도여In조분적관계.분석료In조분대InGaAsSb/GaSb도대、개대대계적작용.연구표명,수In조분적증가,InGaAsSb금대관도감소,응력가대,능대표이증대,InGaAsSb/GaSb도대、개대적대계감소.동시,이용상술연구결과합리지해석료InGaAsSb/GaSb자발발사보적증익、발사봉위급반봉관여In조분관계.연구In조분대InGaAsSb/GaSb양자정능대결구급자발발사보적영향,가이정성지해석이유적실험보도.
