用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究
용경화물기상외연(HVPE)법생장적담화인박막적성질연구
Study the properties of the InN films grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
  • 万方数据
    高技术通讯 고기술통신
    HIGH TECHNOLOGY LETTERS
    2014年 9期 971-974 ,共4页

    俞慧强%修向前%张荣%华雪梅%谢自力%刘斌%陈鹏%韩平%施毅

    유혜강%수향전%장영%화설매%사자력%류빈%진붕%한평%시의

    氮化铟(InN)%薄膜%氢化物气相外延(HVPE) 氮化銦(InN)%薄膜%氫化物氣相外延(HVPE)
    담화인(InN)%박막%경화물기상외연(HVPE)
    InN%films%hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
    在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质.X射线衍射的结果表明,直接在α-Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al2O3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在.综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量.
    재자제설비상용경화물기상외연(HVPE)방법재α-Al2O3이급GaN/α-Al2O3츤저상생장료InN박막,병대기성질진행료연구.중점연구료생장온도적변화대소획득적InN박막적영향,병이용X사선연사연구료InN박막적결구,용소묘전자현미경연구료기표면성질,용곽이측량연구료기전학성질.X사선연사적결과표명,직접재α-Al2O3상생장득도적시InN다정박막;이재GaN/α-Al2O3상득도적InN박막도지유(0002)취향,병차몰유금속In혹시In상관적단족존재.종합분석가이발현,재650℃시무법득도InN박막,이재온도550℃시생장적InN박막구유광활적표면화최호적정체질량.
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