电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2014年
11期
73-76
,共4页
绝缘栅双极型晶体管%疲劳机理%关断时间%可靠性模型
絕緣柵雙極型晶體管%疲勞機理%關斷時間%可靠性模型
절연책쌍겁형정체관%피로궤리%관단시간%가고성모형
insulated gate bipolar transistor%fatigue mechanism%turn-off time%reliability model
基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片疲劳机理,提出采用关断时间对IGBT健康状态进行监控的可靠性评估方法.采用理论分析与解析描述相结合的方法,建立了IGBT关断电流下降时间模型,进而通过研究IGBT关断时间特征量疲劳机理,建立了IGBT关断时间可靠性评估模型.仿真和实验验证了该模型的正确性与准确性.通过该模型可对IGBT的健康状况进行准确评估.
基于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片疲勞機理,提齣採用關斷時間對IGBT健康狀態進行鑑控的可靠性評估方法.採用理論分析與解析描述相結閤的方法,建立瞭IGBT關斷電流下降時間模型,進而通過研究IGBT關斷時間特徵量疲勞機理,建立瞭IGBT關斷時間可靠性評估模型.倣真和實驗驗證瞭該模型的正確性與準確性.通過該模型可對IGBT的健康狀況進行準確評估.
기우절연책쌍겁형정체관(IGBT)심편피로궤리,제출채용관단시간대IGBT건강상태진행감공적가고성평고방법.채용이론분석여해석묘술상결합적방법,건립료IGBT관단전류하강시간모형,진이통과연구IGBT관단시간특정량피로궤리,건립료IGBT관단시간가고성평고모형.방진화실험험증료해모형적정학성여준학성.통과해모형가대IGBT적건강상황진행준학평고.
