光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2014年
11期
3145-3151
,共7页
半导体激光器%驱动电路%大电流信号%纳秒级脉冲
半導體激光器%驅動電路%大電流信號%納秒級脈遲
반도체격광기%구동전로%대전류신호%납초급맥충
semiconductor laser%driver circuit%large current signal%nanosecond pulse
根据脉冲式半导体激光器对功率、脉宽、上升沿的要求,同时考虑电脉冲的注入便于测试激光器的各种性能,提出了一种以金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)为开关器件,以雪崩晶体管为驱动器,可产生大电流、窄脉宽、陡上升沿脉冲的激光器驱动电路.讨论了预触发脉冲宽度和雪崩晶体管输出负载对MOSFET输出脉冲在幅度和波形上的影响以及如何通过调整耦合电阻来控制脉冲的“下冲”和振荡.实验结果表明:在0～200 V供电电压下,该电路在1Ω电阻上产生了从0A到148 A,具有陡上升/下降沿的10 ns级电脉冲.通过调整电路参数,可输出脉冲宽度窄至8.6 ns,幅度达到124 A的电脉冲.该驱动电路满足了脉冲式半导体激光器的工作要求和对器件测试的要求.
根據脈遲式半導體激光器對功率、脈寬、上升沿的要求,同時攷慮電脈遲的註入便于測試激光器的各種性能,提齣瞭一種以金屬氧化物半導體場效應晶體(MOSFET)為開關器件,以雪崩晶體管為驅動器,可產生大電流、窄脈寬、陡上升沿脈遲的激光器驅動電路.討論瞭預觸髮脈遲寬度和雪崩晶體管輸齣負載對MOSFET輸齣脈遲在幅度和波形上的影響以及如何通過調整耦閤電阻來控製脈遲的“下遲”和振盪.實驗結果錶明:在0～200 V供電電壓下,該電路在1Ω電阻上產生瞭從0A到148 A,具有陡上升/下降沿的10 ns級電脈遲.通過調整電路參數,可輸齣脈遲寬度窄至8.6 ns,幅度達到124 A的電脈遲.該驅動電路滿足瞭脈遲式半導體激光器的工作要求和對器件測試的要求.
근거맥충식반도체격광기대공솔、맥관、상승연적요구,동시고필전맥충적주입편우측시격광기적각충성능,제출료일충이금속양화물반도체장효응정체(MOSFET)위개관기건,이설붕정체관위구동기,가산생대전류、착맥관、두상승연맥충적격광기구동전로.토론료예촉발맥충관도화설붕정체관수출부재대MOSFET수출맥충재폭도화파형상적영향이급여하통과조정우합전조래공제맥충적“하충”화진탕.실험결과표명:재0～200 V공전전압하,해전로재1Ω전조상산생료종0A도148 A,구유두상승/하강연적10 ns급전맥충.통과조정전로삼수,가수출맥충관도착지8.6 ns,폭도체도124 A적전맥충.해구동전로만족료맥충식반도체격광기적공작요구화대기건측시적요구.
