中国信息化
中國信息化
중국신식화
ZHONGGUO XINXIHUA
2012年
16期
9
,共1页
利用InGaP/GaAsHBT技术研制了824~849MHz手机功率放大器芯片.在3.4V工作电压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5%, ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP@1.98MHz为-68dBc,高功率模式28dBm的效率达到40.3%,ACP@885kHz为-54dBc,ACP@1.98MHz为-61dBc.通过优化偏置电路,提高了电路性能对HBT电流增益的鲁棒性.
利用InGaP/GaAsHBT技術研製瞭824~849MHz手機功率放大器芯片.在3.4V工作電壓下,低功率模式16dBm的效率達到9.5%, ACP@885kHz為-51.2dBc,ACP@1.98MHz為-68dBc,高功率模式28dBm的效率達到40.3%,ACP@885kHz為-54dBc,ACP@1.98MHz為-61dBc.通過優化偏置電路,提高瞭電路性能對HBT電流增益的魯棒性.
이용InGaP/GaAsHBT기술연제료824~849MHz수궤공솔방대기심편.재3.4V공작전압하,저공솔모식16dBm적효솔체도9.5%, ACP@885kHz위-51.2dBc,ACP@1.98MHz위-68dBc,고공솔모식28dBm적효솔체도40.3%,ACP@885kHz위-54dBc,ACP@1.98MHz위-61dBc.통과우화편치전로,제고료전로성능대HBT전류증익적로봉성.
