电子产品世界
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전자산품세계
ELECTRONIC & DESIGN WORLD
2013年
2期
15-20
,共6页
Jae-Eul Yeon% Won-Hwa Lee% Kyu-Min Cho% Hee-Jun Kim
Jae-Eul Yeon% Won-Hwa Lee% Kyu-Min Cho% Hee-Jun Kim
Jae-Eul Yeon% Won-Hwa Lee% Kyu-Min Cho% Hee-Jun Kim
UniFET II%FRFET%Ultra FRFET%MOSFET故障%混频逆变器和HID镇流器
UniFET II%FRFET%Ultra FRFET%MOSFET故障%混頻逆變器和HID鎮流器
UniFET II%FRFET%Ultra FRFET%MOSFET고장%혼빈역변기화HID진류기
先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能.本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有显著提高的体二极管特性,另外还介绍了其性能和效率.根据寿命控制的集中程度,UniFET II MOSFET可分为普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET,其反向恢复时间分别为传统MOSFET的70%、25%和15%左右.为了验证全新MOSFET的性能和效率,用带混频逆变器的150 W HID灯镇流器进行了实验.结果证明,两个UniFET II MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD,并且无MOSFET故障.
先進的單元結構和壽命控製技術已同時增彊瞭功率MOSFET的導通電阻和反嚮恢複性能.本文介紹一種新開髮的平麵MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性,另外還介紹瞭其性能和效率.根據壽命控製的集中程度,UniFET II MOSFET可分為普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET,其反嚮恢複時間分彆為傳統MOSFET的70%、25%和15%左右.為瞭驗證全新MOSFET的性能和效率,用帶混頻逆變器的150 W HID燈鎮流器進行瞭實驗.結果證明,兩箇UniFET II MOSFET可取代兩箇傳統MOSFE和四箇附加FRD,併且無MOSFET故障.
선진적단원결구화수명공제기술이동시증강료공솔MOSFET적도통전조화반향회복성능.본문개소일충신개발적평면MOSFET—UniFETTM II MOSFET—구유현저제고적체이겁관특성,령외환개소료기성능화효솔.근거수명공제적집중정도,UniFET II MOSFET가분위보통FET、FRFET화Ultra FRFET MOSFET,기반향회복시간분별위전통MOSFET적70%、25%화15%좌우.위료험증전신MOSFET적성능화효솔,용대혼빈역변기적150 W HID등진류기진행료실험.결과증명,량개UniFET II MOSFET가취대량개전통MOSFE화사개부가FRD,병차무MOSFET고장.
