电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2013年
2期
32-36
,共5页
微粒污染%垂直型炉管%低温N2 Purge%剥落微粒
微粒汙染%垂直型爐管%低溫N2 Purge%剝落微粒
미립오염%수직형로관%저온N2 Purge%박락미립
particle%LPCVD%low temperature N2 purge%peeling
LPCVD制备的氮化硅薄膜具有良好的阶梯覆盖性,但是这种薄膜的应力偏高,在石英工艺腔管使用到8μm后易形成剥落微粒.特别是半导体工艺发展到了亚微米阶段,这一问题对于产品良率的影响也越来越大.文中以垂直式LPCVD设备为研究对象,通过利用晶圆冷却时间,运用降低工艺腔体温度并使用N2 Purge的方法来改善微粒状况.通过大量对比实验来得出最优温度设定.运用这种方式不但改善了LPCVD设备制备氮化硅膜的微粒状况,还延长了设备的维护周期,增加设备利用时间.
LPCVD製備的氮化硅薄膜具有良好的階梯覆蓋性,但是這種薄膜的應力偏高,在石英工藝腔管使用到8μm後易形成剝落微粒.特彆是半導體工藝髮展到瞭亞微米階段,這一問題對于產品良率的影響也越來越大.文中以垂直式LPCVD設備為研究對象,通過利用晶圓冷卻時間,運用降低工藝腔體溫度併使用N2 Purge的方法來改善微粒狀況.通過大量對比實驗來得齣最優溫度設定.運用這種方式不但改善瞭LPCVD設備製備氮化硅膜的微粒狀況,還延長瞭設備的維護週期,增加設備利用時間.
LPCVD제비적담화규박막구유량호적계제복개성,단시저충박막적응력편고,재석영공예강관사용도8μm후역형성박락미립.특별시반도체공예발전도료아미미계단,저일문제대우산품량솔적영향야월래월대.문중이수직식LPCVD설비위연구대상,통과이용정원냉각시간,운용강저공예강체온도병사용N2 Purge적방법래개선미립상황.통과대량대비실험래득출최우온도설정.운용저충방식불단개선료LPCVD설비제비담화규막적미립상황,환연장료설비적유호주기,증가설비이용시간.
Silicon nitride film which deposited by LPCVD has better stage coverage, but with high stress. The quartz tube easily generate peeling particles after the thickness of Silicon nitride film over 8μm. With the development of IC industry, the yield became more critical about small size particles. This paper is based on the research of vertical LPCVD system, using low temperature N2 purge to remove peeling particles. This modification has proved the ability to reduce peeling particles and prolong PM cycle time.
