电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2013年
1期
34-37
,共4页
颗粒%APCVD%二氧化硅%炉管
顆粒%APCVD%二氧化硅%爐管
과립%APCVD%이양화규%로관
particle%APCVD%oxidation silicon%furnace
在亚微米的半导体生产制造技术中,二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压,已经成为产品良率的主要影响因素.文章主要针对目前市面上流行的TEL Alpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究.通过大量的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验设备和器材,炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等,找到产生颗粒污染的原因,并且找到解决问题的方案.在减少机台停机时间的同时,提高了机台的使用率,而且改善了颗粒污染的状况,最终获得良率的提升,优化了制造工艺.
在亞微米的半導體生產製造技術中,二氧化硅工藝中的顆粒汙染會造成漏電流形成擊穿電壓,已經成為產品良率的主要影響因素.文章主要針對目前市麵上流行的TEL Alpha-8SE的立式APCVD二氧化硅爐管製造工藝中所遇到的顆粒汙染問題進行研究.通過大量的對比性實驗,進行排查與分析,併利用各種先進的實驗設備和器材,爐管、高倍度電子掃描設備、先進的光學儀器和缺陷分析設備等,找到產生顆粒汙染的原因,併且找到解決問題的方案.在減少機檯停機時間的同時,提高瞭機檯的使用率,而且改善瞭顆粒汙染的狀況,最終穫得良率的提升,優化瞭製造工藝.
재아미미적반도체생산제조기술중,이양화규공예중적과립오염회조성루전류형성격천전압,이경성위산품량솔적주요영향인소.문장주요침대목전시면상류행적TEL Alpha-8SE적입식APCVD이양화규로관제조공예중소우도적과립오염문제진행연구.통과대량적대비성실험,진행배사여분석,병이용각충선진적실험설비화기재,로관、고배도전자소묘설비、선진적광학의기화결함분석설비등,조도산생과립오염적원인,병차조도해결문제적방안.재감소궤태정궤시간적동시,제고료궤태적사용솔,이차개선료과립오염적상황,최종획득량솔적제승,우화료제조공예.
In the semiconductor manufacturing, the particle will cause the leakage increase and break out the device at the oxidation silicon process in furnace, and its had been an mainly factor that affect the yield of product. This article is to investigate the problem of particle issue with the APCVD furnace by TEL Alpha-8SE.For the testing data, analyze it and use the measurement equipment to find out the root cause, then to solve the problem of particle. Decrease the downtime and improve the utility of equipment, then the particle performance and the yield of product is improved, the process also has been optimized.