CAJ | 학술논문

提出新的生长控制方式“函数控制方法”并将其应用到HVPE异质外延GaN中.函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现生长控制的方式.采用函数控制方法设计了两个实验方案,解决了HVPE获得GaN衬底面临的两个主要问题.1)异质外延高质量无裂纹GaN厚膜的实验方案:生长条件按照渐变函数变化保证了外延材料质量的稳定性和应力释放的均匀性,生长条件按照周期函数变化将材料的厚膜外延问题转化为薄膜外延问题.2) GaN厚膜的自分离实验方案:生长条件按照跃变函数变化实现了在外延材料特定位置形成弱连接层,生长条件按照渐变函数变化实现了弱连接层两侧出现较大应力差,这种应力差在生长结束后的降温过程中得到进一步放大,进而实现外延材料在弱连接层处的自分离.结合以上两个实验方案,成功获得无色透明表面平整光滑1 mm厚的高质量GaN衬底,证明了函数控制方法的有效性.借助于生长参数规律化的函数变化,函数控制方法建立了材料性质和数学函数之间的对应和联系,丰富和发展了材料的生长控制方式
제출신적생장공제방식“함수공제방법”병장기응용도HVPE이질외연GaN중.함수공제방법시지외연생장삼수수시간안조특정함수변화래실현생장공제적방식.채용함수공제방법설계료량개실험방안,해결료HVPE획득GaN츤저면림적량개주요문제.1)이질외연고질량무렬문GaN후막적실험방안:생장조건안조점변함수변화보증료외연재료질량적은정성화응력석방적균균성,생장조건안조주기함수변화장재료적후막외연문제전화위박막외연문제.2) GaN후막적자분리실험방안:생장조건안조약변함수변화실현료재외연재료특정위치형성약련접층,생장조건안조점변함수변화실현료약련접층량측출현교대응력차,저충응력차재생장결속후적강온과정중득도진일보방대,진이실현외연재료재약련접층처적자분리.결합이상량개실험방안,성공획득무색투명표면평정광활1 mm후적고질량GaN츤저,증명료함수공제방법적유효성.차조우생장삼수규률화적함수변화,함수공제방법건립료재료성질화수학함수지간적대응화련계,봉부화발전료재료적생장공제방식