电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2012年
7期
31-33
,共3页
SRAM型FPGA%总剂量效应%辐射效应%退火实验
SRAM型FPGA%總劑量效應%輻射效應%退火實驗
SRAM형FPGA%총제량효응%복사효응%퇴화실험
在航天辐射环境中,电离辐射产生的辐射效应会对电子元器件性能产生影响.文章对自主研发的SRAM型FPGA芯片在60Co-γ源辐照下的总剂量辐射效应进行了研究.实验表明:(1)总剂量累积到一定程度后功耗电流线性增大,但只要功耗电流在极限范围内,FPGA仍能正常工作;(2)SRAM型FPGA在配置过程中需要瞬间大电流,故辐照后不能立即配置;(3)总剂量辐照实验时,功耗电流能直观反映器件随总剂量的变化关系,可作为判断器件失效的一个敏感参数.该研究为FPGA的设计提供了基础.
在航天輻射環境中,電離輻射產生的輻射效應會對電子元器件性能產生影響.文章對自主研髮的SRAM型FPGA芯片在60Co-γ源輻照下的總劑量輻射效應進行瞭研究.實驗錶明:(1)總劑量纍積到一定程度後功耗電流線性增大,但隻要功耗電流在極限範圍內,FPGA仍能正常工作;(2)SRAM型FPGA在配置過程中需要瞬間大電流,故輻照後不能立即配置;(3)總劑量輻照實驗時,功耗電流能直觀反映器件隨總劑量的變化關繫,可作為判斷器件失效的一箇敏感參數.該研究為FPGA的設計提供瞭基礎.
재항천복사배경중,전리복사산생적복사효응회대전자원기건성능산생영향.문장대자주연발적SRAM형FPGA심편재60Co-γ원복조하적총제량복사효응진행료연구.실험표명:(1)총제량루적도일정정도후공모전류선성증대,단지요공모전류재겁한범위내,FPGA잉능정상공작;(2)SRAM형FPGA재배치과정중수요순간대전류,고복조후불능립즉배치;(3)총제량복조실험시,공모전류능직관반영기건수총제량적변화관계,가작위판단기건실효적일개민감삼수.해연구위FPGA적설계제공료기출.
