电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2012年
10期
37-40
,共4页
引线框%氧化%可靠性
引線框%氧化%可靠性
인선광%양화%가고성
铜材料引线框架具有良好的导电导热性能,同时具备良好的机械性能和较低成本,但是由于框架和塑封料之间较差的粘结力在回流焊时容易造成封装体开裂.文章研究了铜框架氧化膜的特性,以及氧化膜对半导体封装的可靠性影响.根据试验,氧化膜会随着时间温度而增加,当氧气含量低于1%时增加缓慢.当氧化膜的厚度超过20nm时,塑封料与氧化铜之间的结合力就会显著下降,同时交界面的分层也会加剧.最后针对氧化膜厚度受控的产品做回流焊测试,确认是否有开裂,结果表明与结合力测试相符.氧化膜的厚度需要低于42.5nm,可以提高在reflow时的抗开裂性能.
銅材料引線框架具有良好的導電導熱性能,同時具備良好的機械性能和較低成本,但是由于框架和塑封料之間較差的粘結力在迴流銲時容易造成封裝體開裂.文章研究瞭銅框架氧化膜的特性,以及氧化膜對半導體封裝的可靠性影響.根據試驗,氧化膜會隨著時間溫度而增加,噹氧氣含量低于1%時增加緩慢.噹氧化膜的厚度超過20nm時,塑封料與氧化銅之間的結閤力就會顯著下降,同時交界麵的分層也會加劇.最後針對氧化膜厚度受控的產品做迴流銲測試,確認是否有開裂,結果錶明與結閤力測試相符.氧化膜的厚度需要低于42.5nm,可以提高在reflow時的抗開裂性能.
동재료인선광가구유량호적도전도열성능,동시구비량호적궤계성능화교저성본,단시유우광가화소봉료지간교차적점결력재회류한시용역조성봉장체개렬.문장연구료동광가양화막적특성,이급양화막대반도체봉장적가고성영향.근거시험,양화막회수착시간온도이증가,당양기함량저우1%시증가완만.당양화막적후도초과20nm시,소봉료여양화동지간적결합력취회현저하강,동시교계면적분층야회가극.최후침대양화막후도수공적산품주회류한측시,학인시부유개렬,결과표명여결합력측시상부.양화막적후도수요저우42.5nm,가이제고재reflow시적항개렬성능.
