CAJ | 학술논문

采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉.采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应.实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响.当反应温度从1920℃升高到1966℃时,生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm.当温度继续升高,SiC粉的粒度逐渐减小.温度高于2000℃时,SiC粉的粒度趋于约20μm.同时,X射线衍射图分析表明,温度高于2000℃时,生成的SiC粉料中C比例会明显增加.
채용고온합성방법생성료고순탄화규(SiC)분.채용고순탄(C)분화규(Si)분직접반응,불수외가첨가제,통과공제외부가열사Si화C지속반응.실험결과표명,재상동반응시간조건하,불동가열온도대생성적SiC분료적립도화순도유흔대영향.당반응온도종1920℃승고도1966℃시,생성적SiC분립도유12.548μm증가도29.259μm.당온도계속승고,SiC분적립도축점감소.온도고우2000℃시,SiC분적립도추우약20μm.동시,X사선연사도분석표명,온도고우2000℃시,생성적SiC분료중C비례회명현증가.