电子工艺技术
電子工藝技術
전자공예기술
ELECTRONICS PROCESS TECHNOLOGY
2012年
4期
242-245
,共4页
王英民%毛开礼%徐伟%侯晓蕊%王利忠%姜志艳
王英民%毛開禮%徐偉%侯曉蕊%王利忠%薑誌豔
왕영민%모개례%서위%후효예%왕리충%강지염
半绝缘%4H-SiC%升华法
半絕緣%4H-SiC%升華法
반절연%4H-SiC%승화법
采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶.通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm.用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型.半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2.用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好.
採用升華法穩定地生長齣7.62 cm半絕緣4H-SiC單晶.通過優化釩摻雜工藝穫得瞭均勻分佈的電阻率1011Ω·cm.用激光拉曼光譜儀對晶片進行掃描,結果錶明SiC單晶晶型為4H晶型.半絕緣4H-SiC單晶微管密度最好結果小于2 cm-2.用高分辨X射線衍射術錶徵瞭7.62 cm 4H-SiC單晶襯底片的結晶質量,(0004)衍射搖襬麯線半峰寬為40",說明晶體結晶性較好.
채용승화법은정지생장출7.62 cm반절연4H-SiC단정.통과우화범참잡공예획득료균균분포적전조솔1011Ω·cm.용격광랍만광보의대정편진행소묘,결과표명SiC단정정형위4H정형.반절연4H-SiC단정미관밀도최호결과소우2 cm-2.용고분변X사선연사술표정료7.62 cm 4H-SiC단정츤저편적결정질량,(0004)연사요파곡선반봉관위40",설명정체결정성교호.
