电子工艺技术
電子工藝技術
전자공예기술
ELECTRONICS PROCESS TECHNOLOGY
2012年
5期
262-264
,共3页
谭德喜%巨峰峰%顾晓春%翁长羽%刘道广
譚德喜%巨峰峰%顧曉春%翁長羽%劉道廣
담덕희%거봉봉%고효춘%옹장우%류도엄
TEOS%淀积系统%VDMOS%栅源漏电
TEOS%澱積繫統%VDMOS%柵源漏電
TEOS%정적계통%VDMOS%책원루전
采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用.主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试.通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果.
採用正硅痠乙脂熱分解繫統(TEOS-O2-N2)澱積SiO2工藝在大功率垂直雙擴散金屬氧化物半導體(VDMOS)器件及產品的研髮和生產中有著非常重要的應用.主要介紹瞭正硅痠乙脂熱分解繫統澱積二氧化硅(SiO2)繫統調試.通過大量的實驗建立用正硅痠乙脂熱分解繫統澱積二氧化硅的工藝參數,併把實驗澱積二氧化硅用于垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件及產品的研髮和生產中,取得瞭較為理想的結果.
채용정규산을지열분해계통(TEOS-O2-N2)정적SiO2공예재대공솔수직쌍확산금속양화물반도체(VDMOS)기건급산품적연발화생산중유착비상중요적응용.주요개소료정규산을지열분해계통정적이양화규(SiO2)계통조시.통과대량적실험건립용정규산을지열분해계통정적이양화규적공예삼수,병파실험정적이양화규용우수직쌍확산금속양화물반도체기건급산품적연발화생산중,취득료교위이상적결과.
