电子工艺技术
電子工藝技術
전자공예기술
ELECTRONICS PROCESS TECHNOLOGY
2012年
5期
303-307
,共5页
低功耗%低温漂%线灵敏度%电压基准
低功耗%低溫漂%線靈敏度%電壓基準
저공모%저온표%선령민도%전압기준
基于0.35μm CMOS工艺,设计一种不带电阻的低功耗基准电压源,该基准源工作电压范围1.2 V~3.6 V.在3.6 V和室温时测量最大的电源电流为130 nA.在-20℃~100℃温度范围内,该基准电压温度系数为7.5×10-6/℃.在1.2 V~3.6 V电源电压范围内,线灵敏度为40×10-6/V,且在100 Hz时电源抑制比为-50 dB.该基准电压源适合在一些例如移动设备、植入式医疗设备和智能传感器网络等节能集成电路上应用.
基于0.35μm CMOS工藝,設計一種不帶電阻的低功耗基準電壓源,該基準源工作電壓範圍1.2 V~3.6 V.在3.6 V和室溫時測量最大的電源電流為130 nA.在-20℃~100℃溫度範圍內,該基準電壓溫度繫數為7.5×10-6/℃.在1.2 V~3.6 V電源電壓範圍內,線靈敏度為40×10-6/V,且在100 Hz時電源抑製比為-50 dB.該基準電壓源適閤在一些例如移動設備、植入式醫療設備和智能傳感器網絡等節能集成電路上應用.
기우0.35μm CMOS공예,설계일충불대전조적저공모기준전압원,해기준원공작전압범위1.2 V~3.6 V.재3.6 V화실온시측량최대적전원전류위130 nA.재-20℃~100℃온도범위내,해기준전압온도계수위7.5×10-6/℃.재1.2 V~3.6 V전원전압범위내,선령민도위40×10-6/V,차재100 Hz시전원억제비위-50 dB.해기준전압원괄합재일사례여이동설비、식입식의료설비화지능전감기망락등절능집성전로상응용.
