电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2012年
6期
937-940
,共4页
能级%漏电流%光导开关%碳化硅
能級%漏電流%光導開關%碳化硅
능급%루전류%광도개관%탄화규
利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性.在非故意掺杂氮浓度为1×1014 cm?3、硼浓度为1×1011 cm?3和电容初始电压为1000 V的条件下,当钒浓度为1×1012 cm?3时,电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流,随后存在较大的泄露电流,当光导开关受到波长为532 nm、功率为2400 W/cm2激光的激发时,电容放电形成幅值约为88 A的陡峭脉冲电流,激光结束后电路还有较大的拖尾电流.随着钒浓度增加到1×1014 cm?3,初始阶段的振荡电流消失,漏电流和拖尾电流均减小,受到激光激发时所形成的脉冲电流幅值约为8 A,而钒浓度增加到1×1017 cm?3时,幅值减小到2.5 A.
利用半導體器件倣真軟件研究瞭釩摻雜半絕緣碳化硅(SiC)光導開關(PCSS)在電容放電電路中的瞬態特性.在非故意摻雜氮濃度為1×1014 cm?3、硼濃度為1×1011 cm?3和電容初始電壓為1000 V的條件下,噹釩濃度為1×1012 cm?3時,電路在初始階段有一箇完整的振盪脈遲電流,隨後存在較大的洩露電流,噹光導開關受到波長為532 nm、功率為2400 W/cm2激光的激髮時,電容放電形成幅值約為88 A的陡峭脈遲電流,激光結束後電路還有較大的拖尾電流.隨著釩濃度增加到1×1014 cm?3,初始階段的振盪電流消失,漏電流和拖尾電流均減小,受到激光激髮時所形成的脈遲電流幅值約為8 A,而釩濃度增加到1×1017 cm?3時,幅值減小到2.5 A.
이용반도체기건방진연건연구료범참잡반절연탄화규(SiC)광도개관(PCSS)재전용방전전로중적순태특성.재비고의참잡담농도위1×1014 cm?3、붕농도위1×1011 cm?3화전용초시전압위1000 V적조건하,당범농도위1×1012 cm?3시,전로재초시계단유일개완정적진탕맥충전류,수후존재교대적설로전류,당광도개관수도파장위532 nm、공솔위2400 W/cm2격광적격발시,전용방전형성폭치약위88 A적두초맥충전류,격광결속후전로환유교대적타미전류.수착범농도증가도1×1014 cm?3,초시계단적진탕전류소실,루전류화타미전류균감소,수도격광격발시소형성적맥충전류폭치약위8 A,이범농도증가도1×1017 cm?3시,폭치감소도2.5 A.
