CAJ | 학술논문

采用N2Oplasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管.与常规的IGZOTFT相比,N2Oplasma处理过的IGZOTFT的迁移率由原来的4.5cm2·V-1·s-1增加至8.1cm2·V-1·s-1,阈值电压由原来的11.5V减小至3.2V,亚阈值摆由原来的1.25V/decade减小至0.9V/decade.采用CV方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2Oplasma处理过的IGZOTFT的陷阱态明显小于普通的IGZOTFT的陷阱态,表明N2Oplasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZOTFT器件性能的有效方法
채용N2Oplasma처리SiNx박막작위절연층,이실온하침적적인가자양화물(IGZO)작위유원층제비료IGZO박막정체관.여상규적IGZOTFT상비,N2Oplasma처리과적IGZOTFT적천이솔유원래적4.5cm2·V-1·s-1증가지8.1cm2·V-1·s-1,역치전압유원래적11.5V감소지3.2V,아역치파유원래적1.25V/decade감소지0.9V/decade.채용CV방법계산료량충기건적함정태,결과발현N2Oplasma처리과적IGZOTFT적함정태명현소우보통적IGZOTFT적함정태,표명N2Oplasma처리SiNx절연층시일충개선IGZOTFT기건성능적유효방법