发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
4期
412-416
,共5页
董艳锋%李清山%张立春%宋连科
董豔鋒%李清山%張立春%宋連科
동염봉%리청산%장립춘%송련과
ZnO薄膜% Cu 电极%金属半导体金属结构%欧姆接触
ZnO薄膜% Cu 電極%金屬半導體金屬結構%歐姆接觸
ZnO박막% Cu 전겁%금속반도체금속결구%구모접촉
利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性.分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和IV测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试.结果表明:样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向;当Cu和ZnO直接接触时,样品的IV特性是非线性的;当Cu和ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触,而且退火后欧姆接触性能明显提高,电阻率降低约2/3.本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据
利用脈遲激光沉積(PLD)法在Si(111)襯底上分彆生長瞭ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作電極,研究瞭ZnO薄膜與Cu薄膜的接觸特性.分彆用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡和IV測試的方法對樣品的晶體質量、結構和電學性質進行瞭測試.結果錶明:樣品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的擇優取嚮;噹Cu和ZnO直接接觸時,樣品的IV特性是非線性的;噹Cu和ZnO之間通過ZnO∶Cu層間接接觸時形成良好的歐姆接觸,而且退火後歐姆接觸性能明顯提高,電阻率降低約2/3.本研究為價格低廉的Cu電極成為ZnO基器件的歐姆電極提供瞭一定的依據
이용맥충격광침적(PLD)법재Si(111)츤저상분별생장료ZnO박막화Cu박막,용Cu박막작전겁,연구료ZnO박막여Cu박막적접촉특성.분별용X사선연사의、소묘전자현미경화IV측시적방법대양품적정체질량、결구화전학성질진행료측시.결과표명:양품중ZnO박막화Cu박막균구유고도적택우취향;당Cu화ZnO직접접촉시,양품적IV특성시비선성적;당Cu화ZnO지간통과ZnO∶Cu층간접접촉시형성량호적구모접촉,이차퇴화후구모접촉성능명현제고,전조솔강저약2/3.본연구위개격저렴적Cu전겁성위ZnO기기건적구모전겁제공료일정적의거
