标准CMOS工艺载流子注入型三端SiLED的设计与研制
표준CMOS공예재류자주입형삼단SiLED적설계여연제
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2012年 4期 444-448 ,共5页

    韩磊%张世林%郭维廉%毛陆虹%谢生%张兴杰%谷晓

    한뢰%장세림%곽유렴%모륙홍%사생%장흥걸%곡효

    硅基 LED %标准 CMOS %发光器件%正向注入发光%光电集成 硅基 LED %標準 CMOS %髮光器件%正嚮註入髮光%光電集成
    규기 LED %표준 CMOS %발광기건%정향주입발광%광전집성
    采用无锡华润上华(CSMC)0.5μm标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端SiLED器件.该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1100nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制.测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10mA偏置电流、3V调制电压下,可获得1nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级.由于工作电压低,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域具有一定的应用前景
    채용무석화윤상화(CSMC)0.5μm표준CMOS공예,설계병제비료일충신형적고발광공솔재류자주입형삼단SiLED기건.해기건재p형츤저상진행n+참잡,여p츤저형성량개상대적n+p결,기중일개결정향편치,발출봉치파장재1100nm부근적홍외광;령일개결동양정편,작위주입결대발광진행조제.측시결과현시:제삼단주입재류자명현증강료총체적발광공솔,재10mA편치전류、3V조제전압하,가획득1nW적광공솔,여단결상비제고료량개수량급.유우공작전압저,해기건가여목전주류적CMOS공예공전원단심편집성,재광전집성영역구유일정적응용전경
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