红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2012年
10期
598-601
,共4页
卜琼琼%王茺%靳映霞%陆顺其%杨宇
蔔瓊瓊%王茺%靳映霞%陸順其%楊宇
복경경%왕충%근영하%륙순기%양우
第一性原理%缺陷%硅基%光学性质
第一性原理%缺陷%硅基%光學性質
제일성원리%결함%규기%광학성질
运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响.理论计算表明,缺陷使体 Si 材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变,空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移.
運用第一性原理的超軟贗勢方法研究瞭Si晶體中自填隙形成的多種缺陷對體Si電子結構和光學性質的影響.理論計算錶明,缺陷使體 Si 材料的晶格常數、體積、電學和光學性質等產生瞭不同程度的改變,空位缺陷導緻Si晶體材料吸收光譜紅移.
운용제일성원리적초연안세방법연구료Si정체중자전극형성적다충결함대체Si전자결구화광학성질적영향.이론계산표명,결함사체 Si 재료적정격상수、체적、전학화광학성질등산생료불동정도적개변,공위결함도치Si정체재료흡수광보홍이.
