红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2012年
12期
705-708
,共4页
梁艳%李煜%王博%白丕绩%李敏%陈虓
樑豔%李煜%王博%白丕績%李敏%陳虓
량염%리욱%왕박%백비적%리민%진효
CMOS%读出电路%抗辐射加固
CMOS%讀齣電路%抗輻射加固
CMOS%독출전로%항복사가고
设计了一款采用 CMOS 工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了 CMOS 工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对 NMOS 管使用环形栅和冗余设计等措施.该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行.
設計瞭一款採用 CMOS 工藝的短波320×256抗輻射加固讀齣電路,分析瞭 CMOS 工藝抗輻射的特點,重點介紹瞭模擬通路、偏壓產生電路和數字電路的加固設計方法,採用瞭雙環保護結構、對 NMOS 管使用環形柵和冗餘設計等措施.該設計電路經過流片,測試結果錶明該抗輻射加固設計方法有效可行.
설계료일관채용 CMOS 공예적단파320×256항복사가고독출전로,분석료 CMOS 공예항복사적특점,중점개소료모의통로、편압산생전로화수자전로적가고설계방법,채용료쌍배보호결구、대 NMOS 관사용배형책화용여설계등조시.해설계전로경과류편,측시결과표명해항복사가고설계방법유효가행.
