红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2013年
1期
9-15
,共7页
胡彦博%李煜%白丕绩%李敏%刘会平%李所英
鬍彥博%李煜%白丕績%李敏%劉會平%李所英
호언박%리욱%백비적%리민%류회평%리소영
77 K 低温%MOSFET%非固有电容%参数提取
77 K 低溫%MOSFET%非固有電容%參數提取
77 K 저온%MOSFET%비고유전용%삼수제취
77K cryogenic%MOSFET%extrinsic capacitance%parameter extraction
77 K 低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一.通过研究 MOSFET 非固有电容的特性,并基于 BSIM3通用模型对电容的描述,在77 K 低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数.嵌入 SPICE 软件仿真对比,证明了参数的准确性.
77 K 低溫參數是製冷型碲鎘汞紅外焦平麵探測器讀齣電路設計與精確倣真的關鍵點之一.通過研究 MOSFET 非固有電容的特性,併基于 BSIM3通用模型對電容的描述,在77 K 低溫下進行測試提取,得到瞭相關的模型參數.嵌入 SPICE 軟件倣真對比,證明瞭參數的準確性.
77 K 저온삼수시제랭형제력홍홍외초평면탐측기독출전로설계여정학방진적관건점지일.통과연구 MOSFET 비고유전용적특성,병기우 BSIM3통용모형대전용적묘술,재77 K 저온하진행측시제취,득도료상관적모형삼수.감입 SPICE 연건방진대비,증명료삼수적준학성.
Cryogenic parameter in 77K is a key point of cooled MCT infrared detector readout IC design. This paper is a research of characteristic of extrinsic capacitance in MOSFET. Based on the description of capacitance in BSIM3 model, the parameters are measured and extracted at cryogenic temperature. And the parameters are proved accurate by simulate in SPICE.
