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과기전파
PUBLIC COMMUNICATION OF SCIENCE & TECHNOLOGY
2013年
2期
115-116
,共2页
MOCVD%HVPE%氮化镓
MOCVD%HVPE%氮化鎵
MOCVD%HVPE%담화가
氮化镓(GaN)等第三代半导体材料有着广阔的应用前景.鉴于气相淀积生长法易于控制薄膜的厚度、组分和掺杂,从事这些新型半导体材料研究的单位多采用气相淀积生长法系统.GaN 的气相淀积生长法主要有MOCVD 法和 HVPE 法.本文提出一种 MOCVD 与 HVPE 相结合的薄膜制备设备,通过多物理场耦合有限元模拟分析,探讨两种方法在设备结构上兼容共享的可行性.
氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料有著廣闊的應用前景.鑒于氣相澱積生長法易于控製薄膜的厚度、組分和摻雜,從事這些新型半導體材料研究的單位多採用氣相澱積生長法繫統.GaN 的氣相澱積生長法主要有MOCVD 法和 HVPE 法.本文提齣一種 MOCVD 與 HVPE 相結閤的薄膜製備設備,通過多物理場耦閤有限元模擬分析,探討兩種方法在設備結構上兼容共享的可行性.
담화가(GaN)등제삼대반도체재료유착엄활적응용전경.감우기상정적생장법역우공제박막적후도、조분화참잡,종사저사신형반도체재료연구적단위다채용기상정적생장법계통.GaN 적기상정적생장법주요유MOCVD 법화 HVPE 법.본문제출일충 MOCVD 여 HVPE 상결합적박막제비설비,통과다물리장우합유한원모의분석,탐토량충방법재설비결구상겸용공향적가행성.
