南京信息工程大学学报
南京信息工程大學學報
남경신식공정대학학보
JOURNAL OF NANJING UNIVERSITY OF INFORMATION SCIENCE & TECHNOLOGY
2012年
6期
559-563
,共5页
非线性光学%端面泵浦%Nd:YVO4晶体%KTP倍频晶体
非線性光學%耑麵泵浦%Nd:YVO4晶體%KTP倍頻晶體
비선성광학%단면빙포%Nd:YVO4정체%KTP배빈정체
搭建了一套以中心输出波长为808.5nm的半导体激光端面泵浦 Nd:YVO4激光晶体产生1064nm红外激光,然后以腔内KTP晶体倍频的方法将红外激光倍频为532nm绿光激光的固体激光实验系统,研究了808.5nm的泵浦半导体激光的输出功率与注入电流的关系及与532nm绿光输出功率的关系,以及KTP倍频晶体的相位匹角、泵浦光的聚焦位置和固体激光器的腔长等因素对532nm绿光输出功率的影响.实验结果表明:提高泵浦半导体激光的泵浦功率、缩短固体激光器的腔长、将泵浦光聚焦到Nd:YVO4晶体内部以及正确选择KTP晶体的相位匹配角能够提高532nm绿光的输出功率.
搭建瞭一套以中心輸齣波長為808.5nm的半導體激光耑麵泵浦 Nd:YVO4激光晶體產生1064nm紅外激光,然後以腔內KTP晶體倍頻的方法將紅外激光倍頻為532nm綠光激光的固體激光實驗繫統,研究瞭808.5nm的泵浦半導體激光的輸齣功率與註入電流的關繫及與532nm綠光輸齣功率的關繫,以及KTP倍頻晶體的相位匹角、泵浦光的聚焦位置和固體激光器的腔長等因素對532nm綠光輸齣功率的影響.實驗結果錶明:提高泵浦半導體激光的泵浦功率、縮短固體激光器的腔長、將泵浦光聚焦到Nd:YVO4晶體內部以及正確選擇KTP晶體的相位匹配角能夠提高532nm綠光的輸齣功率.
탑건료일투이중심수출파장위808.5nm적반도체격광단면빙포 Nd:YVO4격광정체산생1064nm홍외격광,연후이강내KTP정체배빈적방법장홍외격광배빈위532nm록광격광적고체격광실험계통,연구료808.5nm적빙포반도체격광적수출공솔여주입전류적관계급여532nm록광수출공솔적관계,이급KTP배빈정체적상위필각、빙포광적취초위치화고체격광기적강장등인소대532nm록광수출공솔적영향.실험결과표명:제고빙포반도체격광적빙포공솔、축단고체격광기적강장、장빙포광취초도Nd:YVO4정체내부이급정학선택KTP정체적상위필배각능구제고532nm록광적수출공솔.
