天津大学学报
天津大學學報
천진대학학보
JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
11期
1020-1023
,共4页
胡智辉%聂新宇%王纪孝%张东辉
鬍智輝%聶新宇%王紀孝%張東輝
호지휘%섭신우%왕기효%장동휘
氨改性介孔SiO2%CO2吸附%N2吸附%分离%Aspen adsim
氨改性介孔SiO2%CO2吸附%N2吸附%分離%Aspen adsim
안개성개공SiO2%CO2흡부%N2흡부%분리%Aspen adsim
在323.15,K 下,以月桂酸为结构导向剂(SDA)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷为助结构导向剂和硅酸乙酯为硅源,采用阴离子表面活性剂法直接合成氨改性介孔 SiO2(AMS)用于 CO2/N2变压吸附分离.对样品进行低温 N2吸附脱附、X 射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)表征,然后用动态法测量其 CO2、N2穿透曲线并计算吸附量.结果发现,在323.15,K、常压下合成吸附剂 AMS 对 CO2/N2的吸附量分别为0.60,mmol/g 和0.03,mmol/g.采用抽真空的方法对吸附剂进行再生,发现75%以上的吸附态CO2能够解吸,经过多次吸附/解吸循环CO2吸附特性不变.同时利用Aspen adsim软件对吸附过程进行模拟,模拟结果与实验数据吻合良好.
在323.15,K 下,以月桂痠為結構導嚮劑(SDA)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷為助結構導嚮劑和硅痠乙酯為硅源,採用陰離子錶麵活性劑法直接閤成氨改性介孔 SiO2(AMS)用于 CO2/N2變壓吸附分離.對樣品進行低溫 N2吸附脫附、X 射線衍射(XRD)和透射電鏡(TEM)錶徵,然後用動態法測量其 CO2、N2穿透麯線併計算吸附量.結果髮現,在323.15,K、常壓下閤成吸附劑 AMS 對 CO2/N2的吸附量分彆為0.60,mmol/g 和0.03,mmol/g.採用抽真空的方法對吸附劑進行再生,髮現75%以上的吸附態CO2能夠解吸,經過多次吸附/解吸循環CO2吸附特性不變.同時利用Aspen adsim軟件對吸附過程進行模擬,模擬結果與實驗數據吻閤良好.
재323.15,K 하,이월계산위결구도향제(SDA)、γ-안병기삼을양기규완위조결구도향제화규산을지위규원,채용음리자표면활성제법직접합성안개성개공 SiO2(AMS)용우 CO2/N2변압흡부분리.대양품진행저온 N2흡부탈부、X 사선연사(XRD)화투사전경(TEM)표정,연후용동태법측량기 CO2、N2천투곡선병계산흡부량.결과발현,재323.15,K、상압하합성흡부제 AMS 대 CO2/N2적흡부량분별위0.60,mmol/g 화0.03,mmol/g.채용추진공적방법대흡부제진행재생,발현75%이상적흡부태CO2능구해흡,경과다차흡부/해흡순배CO2흡부특성불변.동시이용Aspen adsim연건대흡부과정진행모의,모의결과여실험수거문합량호.
