机电技术
機電技術
궤전기술
MECHANICAL & ELECTRICAL TECHNOLOGY
2012年
6期
33-37
,共5页
芯片%封装效应%应力%微机电系统
芯片%封裝效應%應力%微機電繫統
심편%봉장효응%응력%미궤전계통
针对不同的基板和粘结层,运用 COMSOL Multiphysics 软件分析了由封装引起的热失配对 MEMS 芯片的内部应力和应变的影响及其影响规律.分析不同基板对 SiC 芯片的应力和应变的影响,通过有限元计算分析得知,当基板的热膨胀系数跟芯片的热膨胀系数越接近,封装对芯片导致的应力?应变和位移的影响越小.研究表明:粘结层的厚度对 SiC芯片的应力等参数同样存在一定的影响,当粘结层的厚度增加时能够降低 SiC 芯片由封装引起的热应力,同时也会降低SiC 芯片的第一主应变.基板厚度增加会增加 SiC 芯片由封装引起的热应力,温度场由高到低会增加 SiC 芯片由封装引起的热应力.
針對不同的基闆和粘結層,運用 COMSOL Multiphysics 軟件分析瞭由封裝引起的熱失配對 MEMS 芯片的內部應力和應變的影響及其影響規律.分析不同基闆對 SiC 芯片的應力和應變的影響,通過有限元計算分析得知,噹基闆的熱膨脹繫數跟芯片的熱膨脹繫數越接近,封裝對芯片導緻的應力?應變和位移的影響越小.研究錶明:粘結層的厚度對 SiC芯片的應力等參數同樣存在一定的影響,噹粘結層的厚度增加時能夠降低 SiC 芯片由封裝引起的熱應力,同時也會降低SiC 芯片的第一主應變.基闆厚度增加會增加 SiC 芯片由封裝引起的熱應力,溫度場由高到低會增加 SiC 芯片由封裝引起的熱應力.
침대불동적기판화점결층,운용 COMSOL Multiphysics 연건분석료유봉장인기적열실배대 MEMS 심편적내부응력화응변적영향급기영향규률.분석불동기판대 SiC 심편적응력화응변적영향,통과유한원계산분석득지,당기판적열팽창계수근심편적열팽창계수월접근,봉장대심편도치적응력?응변화위이적영향월소.연구표명:점결층적후도대 SiC심편적응력등삼수동양존재일정적영향,당점결층적후도증가시능구강저 SiC 심편유봉장인기적열응력,동시야회강저SiC 심편적제일주응변.기판후도증가회증가 SiC 심편유봉장인기적열응력,온도장유고도저회증가 SiC 심편유봉장인기적열응력.
