物联网技术
物聯網技術
물련망기술
INTERNET OF THINGS TECHNOLOGIES
2012年
5期
33-37
,共5页
刘伟%张继华%周卓帆%刘颖%杨传仁%陈宏伟%赵强
劉偉%張繼華%週卓帆%劉穎%楊傳仁%陳宏偉%趙彊
류위%장계화%주탁범%류영%양전인%진굉위%조강
铝镓氮/氮化镓异质结%有效质量%双轴应变%迁移率%二维电子气
鋁鎵氮/氮化鎵異質結%有效質量%雙軸應變%遷移率%二維電子氣
려가담/담화가이질결%유효질량%쌍축응변%천이솔%이유전자기
通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系.在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变.在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着张应变的增加而增加,并随着压应变的增加而减小.计算结果表明,张应变对2DEG迁移率的影响要比压应变大.此外,GaN有效质量的变化在低温时对迁移率的作用更明显.而在低温低浓度的条件下,迁移率却对有效质量的依赖很小.
通過計算雙軸應變下氮化鎵的電子能帶結構,給齣瞭GaN有效質量與應變的變化關繫.在弛豫時間近似的條件下,這種關繫決定瞭雙軸應變AlGaN/GaN中二維電子氣(2DEG)的遷移率的改變.在其他物理參量不變的情況下,這種二維電子氣遷移率將隨著張應變的增加而增加,併隨著壓應變的增加而減小.計算結果錶明,張應變對2DEG遷移率的影響要比壓應變大.此外,GaN有效質量的變化在低溫時對遷移率的作用更明顯.而在低溫低濃度的條件下,遷移率卻對有效質量的依賴很小.
통과계산쌍축응변하담화가적전자능대결구,급출료GaN유효질량여응변적변화관계.재이예시간근사적조건하,저충관계결정료쌍축응변AlGaN/GaN중이유전자기(2DEG)적천이솔적개변.재기타물리삼량불변적정황하,저충이유전자기천이솔장수착장응변적증가이증가,병수착압응변적증가이감소.계산결과표명,장응변대2DEG천이솔적영향요비압응변대.차외,GaN유효질량적변화재저온시대천이솔적작용경명현.이재저온저농도적조건하,천이솔각대유효질량적의뢰흔소.
